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SiC Normally-On JFET, 20V, TO-247-3L, N-Channel


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     9RQRV-30151484
Fabricante:
     United Silicon Carbide
N.º fabricante:
     UJ3N120035K3S
EAN/GTIN:
     Sin datos
Hoja de datos del artículo
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo de un...
JFET
Transistores de efecto de campo de ...
SiC Normally-On JFET, Type=UJ3N120035K3S, Breakdown Voltage=1.2 kV, Closing Resistance=35 mΩ, Continuous Drain Current (Id)=63 A, Drain-Source Voltage (Vds)=1.2 kV, Gate-Source Cutoff Voltage Max. (Vgs(off))=20 V, Operating Temperature Max.=175 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=429 W, Reflow Temperature Max.=250 °C, Channel Type=N-Channel, Configuration=Single, Mounting Type=Through Hole, Package Type=TO-247-3L, Packaging=Tube
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541290000
Country of origin:
PH
Customs tariff number:
8541290000
Height:
6 mm
Net weight:
6 g
Depth:
17 mm
Gross weight:
6 g
Width:
6 mm
Otros conceptos de búsqueda: SiC Normally-On JFET
Resumen de condiciones1
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