N.º art.: 9RQRV-30156783
N.º fabricante: SISS05DN-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
MOSFET, Type=SISS05DN-T1-GE3, Continuous Drain Current (Id)=108 A, Drain-Source Voltage (Vds)=30 V, Fall Time=26 ns, Gate-Source Voltage=20 V, ON Resistance (Rds(on))=4.7 mΩ, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=8, Power Dissipation (Pd)=65.7 W, Reflow Temperature Max.=260 °C, Rise Time=117 ns, Turn-OFF Delay Time=39 ns, Turn-ON Delay Time=40 ns, Configuration=Single, Mounting Type=SMD, Package Type=PowerPAK 1212-8S, Packaging=Tape & Reel, Transistor Polarity=P-Channel
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541290000
Country of origin:
CN
Customs tariff number:
8541290000
Height:
3 mm
Net weight:
0,007 g
Depth:
11 mm
Gross weight:
0,007 g
Width:
5 mm
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