N.º art.: 9RQRV-30230805
N.º fabricante: BC856BDW1T1G
EAN/GTIN: Sin datos
General Purpose Transistor, Type=BC856BDW1T1G, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=900 mV, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=650 mV, Collector-Base Voltage (Vcbo)=80 V, Collector-Emitter Voltage (Vceo)=65 V, Continuous Collector Current (Ic)=100 mA, DC Current Gain (hFE)=150, Emitter-Base Voltage (Vebo)=5 V, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=6, Power Dissipation (Pd)=380 mW, Reflow Temperature Max.=260 °C, Transit Frequency=100 MHz, Configuration=Dual, MSL=Level-1, Mounting Type=SMD, Package Type=SOT-363, Packaging=Tape & Reel, Transistor Polarity=PNP
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541210000
Country of origin:
CN
Customs tariff number:
8541210000
Height:
2 mm
Net weight:
0,010 g
Depth:
8 mm
Gross weight:
0,01 g
Width:
5 mm
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