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MOSFET, P-Channel, -60V, -1.25A, SOT-23


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Información de productos
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N.º art.:
     9RQRV-30230864
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDN5618P
EAN/GTIN:
     Sin datos
Hoja de datos del artículo
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
MOSFET, Type=FDN5618P, Continuous Drain Current (Id)=-1.25 A, Drain-Source Voltage (Vds)=-60 V, Fall Time=8 ns, Gate-Source Voltage=20 V, ON Resistance (Rds(on))=230 mΩ, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=500 mW, Reflow Temperature Max.=260 °C, Rise Time=16 ns, Turn-OFF Delay Time=30 ns, Turn-ON Delay Time=13 ns, Configuration=Single, MSL=Level-1, Mounting Type=SMD, Package Type=SOT-23, Packaging=Tape & Reel, Transistor Polarity=P-Channel
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541210000
Country of origin:
PH
Customs tariff number:
8541210000
Height:
2 mm
Net weight:
0,300 g
Depth:
5 mm
Gross weight:
0,3 g
Width:
2 mm
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MGJ2D152005SC
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Accesorios
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Murata
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