N.º art.: 9RQRV-30230908
N.º fabricante: MJD122T4G
EAN/GTIN: Sin datos
Darlington Transistor, Type=MJD122T4G, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=4.5 V, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=4 V, Collector-Base Voltage (Vcbo)=100 V, Collector-Emitter Voltage (Vceo)=100 V, Continuous Collector Current (Ic)=8 A, DC Current Gain (hFE)=1000, Emitter-Base Voltage (Vebo)=5 V, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-65 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=20 W, Reflow Temperature Max.=260 °C, Transit Frequency=4 MHz, Configuration=Single, MSL=Level-1, Mounting Type=SMD, Package Type=DPAK, Packaging=Tape & Reel, Transistor Polarity=NPN
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541290000
Country of origin:
MY
Customs tariff number:
8541290000
Height:
2 mm
Net weight:
0,050 g
Depth:
8 mm
Gross weight:
0,05 g
Width:
5 mm
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