N.º art.: 9RQRV-30240269
N.º fabricante: FJP13009H2TU
EAN/GTIN: Sin datos
Power Transistor, Type=FJP13009H2TU, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=1.6 V, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=3 V, Collector-Base Voltage (Vcbo)=700 V, Collector-Emitter Voltage (Vceo)=400 V, Continuous Collector Current (Ic)=12 A, DC Current Gain (hFE)=40, Emitter-Base Voltage (Vebo)=9 V, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-65 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=100 W, Transit Frequency=4 MHz, Configuration=Single, Mounting Type=Through Hole, Package Type=TO-220, Packaging=Tube, Transistor Polarity=NPN
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541290000
Country of origin:
CN
Customs tariff number:
8541290000
Height:
5 mm
Net weight:
3,070 g
Depth:
30 mm
Gross weight:
3,07 g
Width:
10 mm
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