N.º art.: 9RQRV-30253336
N.º fabricante: IXFH80N65X2-4
EAN/GTIN: Sin datos
MOSFET, Type=IXFH80N65X2-4, Continuous Drain Current (Id)=80 A, Drain-Source Voltage (Vds)=650 V, Fall Time=11 ns, Gate-Source Voltage=30 V, ON Resistance (Rds(on))=38 mΩ, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=4, Power Dissipation (Pd)=890 W, Reflow Temperature Max.=260 °C, Rise Time=24 ns, Turn-OFF Delay Time=70 ns, Turn-ON Delay Time=32 ns, Configuration=Single, Mounting Type=Through Hole, Package Type=TO-247, Packaging=Tube, Transistor Polarity=N-Channel
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541100000
Country of origin:
US
Customs tariff number:
8541100000
Height:
5 mm
Net weight:
6,300 g
Depth:
43 mm
Gross weight:
6,3 g
Width:
18 mm
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