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MOSFET, N-Channel, 600V, 120mA, SOT-223


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Información de productos
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N.º art.:
     9RQRV-30283874
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     BSP125H6327XTSA1
EAN/GTIN:
     5059043017402
Hoja de datos del artículo
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
MOSFET, Type=BSP125H6327XTSA1, Continuous Drain Current (Id)=120 mA, Drain-Source Voltage (Vds)=600 V, Fall Time=110 ns, Gate-Source Voltage=20 V, ON Resistance (Rds(on))=45 Ω, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=4, Power Dissipation (Pd)=1.8 W, Reflow Temperature Max.=260 °C, Rise Time=14.4 ns, Turn-OFF Delay Time=20 ns, Turn-ON Delay Time=7.7 ns, Configuration=Single, MSL=Level-1, Mounting Type=SMD, Package Type=SOT-223, Packaging=Tape & Reel, Transistor Polarity=N-Channel, Automotive Qualification Standard=AEC-Q101
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541100000
Country of origin:
CN
Customs tariff number:
8541100000
Height:
2 mm
Net weight:
0,010 g
Depth:
8 mm
Gross weight:
0,01 g
Width:
5 mm
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