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| N.º art.:
C1ES2-8597886 N.º fabricante:
MZ1L21T9HCLS-00A07 EAN/GTIN:
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| Samsung PM9A3 MZ1L21T9HCLS - SSD - cifrado - 1.92 TB - interno - M.2 22110 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - TCG Opal Encryption 2.0 Más información: General | Factor de forma | M.2 22110 | | Características | V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller | | Anchura | 22 mm | | Profundidad | 110 mm | | Altura | 3.8 mm | | Peso | 20 g | | Tipo de dispositivo | Disco en estado sólido - interno | | Capacidad | 1.92 TB | | Bytes por sector | 512 | | Algoritmo de cifrado | 256-bit AES-XTS | | Interfaz | PCIe 4.0 x4 (NVMe) | | Tipo de meoria flash NAND | Celda multinivel (MLC) | | Cifrado por hardware | Sí | Diverso | Cumplimiento de normas | TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, libre de halógenos, RCM | Alimentación | Consumo de energía | 8 vatios (lectura) ¦ 8.2 vatios (escritura) ¦ 2.5 vatios (en espera) | Parámetros de entorno | Temperatura mínima de funcionamiento | 0 °C | | Temperatura máxima de funcionamiento | 70 °C | | Ámbito de humedad de funcionamiento | 5 - 95% (sin condensación) | | Temperatura mínima de almacenamiento | -40 °C | | Temperatura máxima de almacenamiento | 85 °C | | Tolerancia a golpes (no operativo) | 1500 g | | Tolerancia a las vibraciones (no operativo) | 20 g @ 10-2000 Hz | Prestación | Tasa de datos internos | 5500 MBps (lectura)/ 2000 MBps (escritura) | | Lectura aleatoria 4KB | 800000 IOPS | | Escritura aleatoria 4KB | 85000 IOPS | Fiabilidad | Errores irreversibles | 1 por 10^17 | | MTBF (tiempo medio entre errores) | 2,000,000 horas | Expansión y conectividad | Interfaces | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) | | Bahía compatible | M.2 22110 |
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