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| N.º art.: CIES2-80221050 N.º fabricante: TS128GMTE652T2 EAN/GTIN: 760557848059 |
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![](/p.gif) | Más información: Condiciones ambientales | Intervalo de temperatura operativa | -20 - 75 °C | ![](/p.gif) | Intervalo de temperatura de almacenaje | -40 - 85 °C | ![](/p.gif) | Intervalo de humedad relativa para funcionamiento | 5 - 95 % | ![](/p.gif) | Vibración operativa | 20 G | ![](/p.gif) | Golpes en funcionamiento | 1500 G | Control de energía | Voltaje de operación | 3.3 V | ![](/p.gif) | Consumo de energía (lectura) | 3.3 W | ![](/p.gif) | Consumo de energía (escritura) | 3.3 W | ![](/p.gif) | Consumo energético (en suspensión) | 0.6 W | Otras características | Certificados de conformidad | RoHS | Características | SDD, capacidad | 128 GB | ![](/p.gif) | Factor de forma de disco SSD | M.2 | ![](/p.gif) | Interfaz | PCI Express 3.1 | ![](/p.gif) | NVMe | Si | ![](/p.gif) | Tipo de memoria | 3D TLC NAND | ![](/p.gif) | Componente para | PC/ordenador portátil | ![](/p.gif) | Versión NVMe | 1.3 | ![](/p.gif) | Lectura aleatoria (4KB) | 165000 IOPS | ![](/p.gif) | Escritura aleatoria (4KB) | 235000 IOPS | ![](/p.gif) | Velocidad de lectura secuencial (CDM) | 2100 MB/s | ![](/p.gif) | Velocidad de escritura secuencial (CDM) | 1000 MB/s | ![](/p.gif) | ECC | Si | ![](/p.gif) | Tiempo medio entre fallos | 3000000 h | ![](/p.gif) | Certificación | CE/FCC/BSMI | Peso y dimensiones | Ancho | 80 mm | ![](/p.gif) | Profundidad | 22 mm | ![](/p.gif) | Altura | 3.58 mm | ![](/p.gif) | Peso | 9 g |
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