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| N.º art.: CIES3-95831768 N.º fabricante: 4XB7A78626 EAN/GTIN: Sin datos |
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| Más información: Condiciones ambientales | Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C | | Intervalo de humedad relativa durante almacenaje | 5 - 95 % | | Vibración operativa | 1000 G | | Vibración no operativa | 1000 G | | Golpes en funcionamiento | 2.17 G | | Golpe (fuera de operación) | 3.13 G | Control de energía | Consumo de energía (escritura) | 3.9 W | Otras características | Índice de resistencia | 35.1 PB | Características | SDD, capacidad | 3840 GB | | Interfaz | Serial ATA III | | Tipo de memoria | TLC 3D NAND | | Componente para | Servidor | | Encriptación de hardware | Si | | Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES | | Velocidad de transferencia de datos | 6 Gbit/s | | Lectura aleatoria (4KB) | 91000 IOPS | | Escritura aleatoria (4KB) | 60000 IOPS | | Latencia aleatoria - lectura (hasta) | 104 µs | | Latencia aleatoria - escritura (hasta) | 45 µs | | Latencia secuencial - lectura (hasta) | 36 µs | | Latencia secuencial - escritura (hasta) | 38 µs | | Soporte S.M.A.R.T. | Si | | Hot-swap | Si | | Uncorrectable Bit Error Rate (UBER) | < 1 per 10^17 bits read | | Tiempo medio entre fallos | 2000000 h | | Escrituras en el disco por día (DWPD, Drive writes per day) | 5 | | Certificación | FCC Title 47, Part 15B, Class B EN-55035:2017 EN-55022:2006 EN-55032:2012 Low Voltage Directive (LVD) 2014/35/EU EMC Directive 2014/30/EU RoHS Directive 2011/65/EU WEEE Directive 2012/19/EU UL 60950-1, 2nd Edition, 2014-10-14 CSA C22.2 No. 60950-1-07, 2nd Edition, 2014-010 UL/CSA 62368-1, 2nd Edition AS/NZ CISPR 32:2015 AS/NZ CISPR 22:2009 +A1:2010 Taiwan BSMI EMC standard CNS 13438 Korea KCC Article 11.1 Morocco Decree # 2574-14 (EMC) Canada ICES-003 Japan VCCI China EFUP |
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