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| N.º art.: CIES4-86216937 N.º fabricante: TS512GMTE652T2 EAN/GTIN: 760557848615 |
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| Más información: Condiciones ambientales | Intervalo de temperatura operativa | -20 - 75 °C | | Intervalo de temperatura de almacenaje | -55 - 85 °C | | Temperatura mínima de operación | -20 °C | | Máxima temperatura | 75 °C | | Intervalo de humedad relativa para funcionamiento | 5 - 95 % | | Vibración operativa | 20 G | | Golpes en funcionamiento | 1500 G | Control de energía | Voltaje de operación | 3.3 V | | Consumo energético (en suspensión) | 0.6 W | Otras características | Certificados de conformidad | RoHS | Características | SDD, capacidad | 512 GB | | Factor de forma de disco SSD | 2.5" | | Interfaz | PCI Express 3.1 | | NVMe | Si | | Tipo de memoria | 3D NAND | | Componente para | PC | | Versión NVMe | 1.3 | | Velocidad de lectura | 2100 MB/s | | Velocidad de escritura | 1000 MB/s | | Lectura aleatoria (4KB) | 190000 IOPS | | Escritura aleatoria (4KB) | 290000 IOPS | | Carriles datos de interfaz PCI Express | x4 | | ECC | Si | | Tiempo medio entre fallos | 3000000 h | | Certificación | CE, FCC, BSMI | Peso y dimensiones | Ancho | 80 mm | | Profundidad | 3.58 mm | | Altura | 22 mm | | Peso | 9 g |
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