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Infineon IPB083N10N3 G transistore 75 V


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Información de productos
Infineon IPB083N10N3 G transistore 75 V
Infineon IPB083N10N3 G transistore 75 V
N.º art.:
     CIES7-79087087
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPB083N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Más información:
Características
Voltaje
75 V
Potencia
125 W
resistencia
0.0045 mΩ
Intervalo de temperatura operativa
-55 - 175 °C
Certificación
RoHs
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