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| N.º art.:
CIES9-12437349 N.º fabricante:
TS512MSK64V6N EAN/GTIN:
760557821304 |
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| Más información: Características | Memoria interna | 4 GB | | Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 2 x 8 GB | | Tipo de memoria interna | DDR3 | | Velocidad de memoria del reloj | 1600 MHz | | Componente para | Portátil | | Forma de factor de memoria | 204-pin SO-DIMM | | Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) | | Latencia CAS | 11 | | Clasificación de memoria | 2 | | Voltaje de memoria | 1.5 V | | Configuración de módulos | 256M x 8 | Datos logísticos | Código de Sistema de Armomización (SA) | 84733020 | Condiciones ambientales | Intervalo de temperatura operativa | 0 - 85 °C |
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| Otros conceptos de búsqueda: DDR3 RAM, Memoria DDR3 RAM, Módulos de contactos, Insertos de contacto, Módulo de contactos, Módulos de insertos de contactos, Memoria de ordenador portátil, Memorias de ordenadores portátiles, Memoria de portátil, Memorias de portátiles, Módulo de respaldo, Módulo de búfer, Módulos de búfer, Módulos de respaldo, RAM ECC, Memoria del servidor, ddr ram, RAM, ROM, DRAM, SDRAM, RDRAM, DDR, DDR2, EDO DRAM, EDO, DDR2-SDRAM, FPM RAM, FBDIMM, Boot Rom, ValueRAM, SODIMM, JetRAM, memory kit |
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