infineon | MERCATEO (Página 432/891)

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INFINEON IPF023N08NF2SATMA1 MOSFET, CANAL N, 80V, 209A, TO-263 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.002 ohm Gama de Producto StronglRFET Series Número de Pines 7 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de...

Infineon

IPF023N08NF2SATMA1

a partir de € 1,44*
por unidad

100%

IGBT, FS200R12N3T7BPSA1, 200 A, 1.200 V (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW

Infineon

FS200R12N3T7BPSA1

a partir de € 158,341*
por unidad

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MOSFET Infineon IPD50P04P413ATMA2, VDSS 40 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (2 ofertas)

Infineon -40V, P-Ch, 12,6 MΩ máx., MOSFET de automoción, DPAK, OptiMOS™-P2.Canal P - nivel normal - modo de mejora Calificación AEC MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C Temperatura de...

Infineon

IPD50P04P413ATMA2

a partir de € 0,492*
por unidad

100%

IGBT, FP75R12N3T7BPSA1, 75 A, 1.200 V (2 ofertas)

Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW

Infineon

FP75R12N3T7BPSA1

a partir de € 122,55*
por unidad

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INFINEON IPF042N10NF2SATMA1 MOSFET, CANAL N, 100V, 139A, TO-263 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0037 ohm Gama de Producto StronglRFET Series Número de Pines 7 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo d...

Infineon

IPF042N10NF2SATMA1

a partir de € 0,994*
por unidad

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Infineon IDP20E65D2 (1 oferta)

Infineon

IDP20E65D2XKSA1

a partir de € 39,95*
por 50 unidades

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Infineon IRF3205ZL transistore 30 V (2 ofertas)

Infineon

IRF3205ZLPBF

a partir de € 0,807*
por unidad

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MOSFET Infineon IPD50P04P4L11ATMA2, VDSS 40 V, ID 50 A, PG-TO252-3-313 (3 ofertas)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TO252-3-313 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2

a partir de € 0,521*
por unidad

100%

IGBT, IGP10N60TXKSA1, PG-TO-220-3 (1 oferta)

Disipación de Potencia Máxima = 110 W Tipo de Encapsulado = PG-TO-220-3

Infineon

IGP10N60TXKSA1

a partir de € 1,016*
por unidad

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IGBT, FS35R12W1T7BOMA1, 35 A, 1.200 V, AG-EASY1B-711 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 35 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Tipo de Encapsulado = AG-EASY1B-711

Infineon

FS35R12W1T7BOMA1

a partir de € 31,067*
por unidad

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Infineon IPP80N04S4L-04 transistore 40 V (1 oferta)

Infineon

IPP80N04S4L04AKSA1

a partir de € 0,84*
por unidad

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Infineon IPD50R3K0CE transistore 600 V (2 ofertas)

Infineon

IPD50R3K0CEAUMA1

a partir de € 0,69*
por 5 unidades

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IGBT, FS100R12N2T7B15BPSA1, 100 A, 1.200 V (2 ofertas)

Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW

Infineon

FS100R12N2T7B15BPSA1

a partir de € 116,299*
por unidad

100%