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MOSFET Microchip DN2540N8-G, VDSS 400 V, ID 170 mA, TO-243AA de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
El DN2540 es un transistor de modo de vaciado de umbral bajo (normalmente encendido) que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta...
Microchip Technology
DN2540N8-G
a partir de € 0,637*
por unidad
 
 unidad
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MOSFET Infineon IRFR48ZTRLPBF, VDSS 55 V, ID 62 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET. Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área...
Infineon
IRFR48ZTRLPBF
€ 0,315*
por unidad
 
 unidades
100%
Infineon IPD70N03S4L-04 transistore (2 ofertas)
Infineon
IPD70N03S4L04ATMA1
a partir de € 0,504*
por unidad
 
 unidad
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MOSFET Infineon IRF3710STRLPBF, VDSS 100 V, ID 57 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (2 ofertas) 
MOSFET Infineon de potencia de canal N serie HEXFET. Los MOSFET de potencia HEXFET de International Rectifier utilizan técnicas Advanced Processing para lograr una resistencia de conexión extremada...
Infineon
IRF3710STRLPBF
a partir de € 0,709*
por unidad
 
 unidad
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MOSFET Nexperia PMPB11EN,115, VDSS 30 V, ID 9 A, DFN2020 de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de canal N, hasta 30V
Nexperia
PMPB11EN,115
a partir de € 0,745*
por 5 unidades
 
 envase
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MOSFET IXYS IXFN210N30P3, VDSS 300 V, ID 192 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™. Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
IXYS
IXFN210N30P3
a partir de € 33,34*
por unidad
 
 unidad
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MOSFET Infineon IPD80R2K0P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
La serie de MOSFET Infineon 800V Cool MOS™ P7 de súper unión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de ...
Infineon
IPD80R2K0P7ATMA1
a partir de € 0,431*
por unidad
 
 unidades
100%
MOSFET Infineon IRF6668TRPBF, VDSS 80 V, ID 55 A, DirectFET ISOMETRIC de 7 pines (1 oferta) 
El MOSFET Infineon HEXFET® Power tiene una tensión de fuente de drenaje máxima 80V en un encapsulado DirectFET MZ con un valor nominal de 55 amperios optimizado con baja resistencia de conexión. El...
Infineon
IRF6668TRPBF
a partir de € 1,098*
por unidad
 
 unidades
100%
MOSFET onsemi BVSS138LT1G, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. 50V, 200mA, 3.5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level, Pb−Free. PPAP capable suitable for automotive applications.Low Threshold Voltag...
onsemi
BVSS138LT1G
a partir de € 0,036*
por unidad
 
 unidad
100%
MOSFET Microchip 2N6661, VDSS 90 V, ID 350 mA, TO-39 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
2N6661 es un transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) que utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un di...
Microchip Technology
2N6661
a partir de € 12,302*
por unidad
 
 unidad
100%
MOSFET Infineon IPD80R360P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
La serie Infineon 800V CoolMOS™ P7 de MOSFET de superunión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de us...
Infineon
IPD80R360P7ATMA1
a partir de € 1,369*
por unidad
 
 unidades
100%
MOSFET Infineon IRFR3410TRLPBF, VDSS 100 V, ID 31 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (3 ofertas) 
MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Este MOSFET se utiliza principalmente en convertidores dc-dc de alta frecuencia.Compatible...
Infineon
IRFR3410TRLPBF
a partir de € 0,381*
por unidad
 
 unidad
100%
MOSFET onsemi FCMT125N65S3, VDSS 650 V, ID 24 A, PQFN4 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
700 V @ TJ = 150 oC Leadless Ultra-thin SMD package Kelvin contact Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 49 nC) Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 406 pF) Optimized Capacitance Typ. RDS...
onsemi
FCMT125N65S3
a partir de € 2,59*
por unidad
 
 unidad
100%
MOSFET Microchip DN2540N5-G, VDSS 400 V, ID 500 mA, TO-220 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
Transistores MOSFET de modo de reducción de canal N Supertex. La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta...
Microchip Technology
DN2540N5-G
a partir de € 1,227*
por unidad
 
 unidad
100%
MOSFET Infineon IPD90N04S405ATMA1, VDSS 40 V, ID 86 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOS™-T2 integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Presenta bajas pérdidas de potencia de conducción y conmutación.Canal N - Modo de mejora MSL1 con ...
Infineon
IPD90N04S405ATMA1
a partir de € 0,713*
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