Transistores de potencia | MERCATEO (Página 15/1.374)

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IGBT, STGWT30H60DFB, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines Simple (1 oferta)

Discretos IGBT, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STGWT30H60DFB

€ 7,378*
por 2 unidades

MOSFET Infineon AUIRL3705Z, VDSS 55 V, ID 75 A, 86 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N para automoción, Infineon. La amplia cartera de dispositivos de canal N sencillos de Infineon con certificación AECQ-101 para automoción sirve para una gran variedad d...

Infineon

AUIRL3705Z

a partir de € 8,80*
por 5 unidades

IGBT, STGW60V60F, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple (1 oferta)

Discretos IGBT, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STGW60V60F

a partir de € 18,79*
por 5 unidades

MOSFET DiodesZetex ZVN4210A, VDSS 100 V, ID 450 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.

Diodes

ZVN4210A

a partir de € 0,339*
por unidad

IGBT, STGWT80H65DFB, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple (1 oferta)

Discretos IGBT, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STGWT80H65DFB

a partir de € 4,396*
por unidad

MOSFET Infineon IPB17N25S3100ATMA1, VDSS 250 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia OptiMOS™ T de Infineon. Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios...

Infineon

IPB17N25S3100ATMA1

a partir de € 28,10*
por 20 unidades

IGBT, STGW80H65DFB, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple (1 oferta)

Discretos IGBT, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STGW80H65DFB

a partir de € 4,802*
por unidad

MOSFET DiodesZetex ZVN4424A, VDSS 240 V, ID 260 mA, Línea E de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.

Diodes

ZVN4424A

a partir de € 0,56*
por unidad

Kit de Montaje de Disipadores RS PRO para usar con TO-220 (1 oferta)

* se recomienda Un tornillo M3 si no se requiere el casquillo, se requiere un orificio intermedio 6.8Øx0.8mm. Kits De Montaje De Transistor De Potencia. Arandelas de disipador térmico aislantes de ...

RS Pro

7128225

a partir de € 1,69*
por kit

MOSFET Infineon IPB600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior

Infineon

IPB600N25N3GATMA1

a partir de € 17,03*
por 10 unidades

IGBT, STGWT60H65DFB, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-3P, 3-Pines Simple (1 oferta)

Discretos IGBT, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STGWT60H65DFB

a partir de € 3,139*
por unidad

MOSFET DiodesZetex ZVNL110A, VDSS 100 V, ID 320 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de canal N, 100 V a 950 V, Diodes Inc.

Diodes

ZVNL110A

a partir de € 0,32*
por unidad

Módulo IGBT, FP40R12KE3BOSA1, N-Canal, 55 A, 1.200 V, EconoPIM2, 24-Pines Trifásico (1 oferta)

Módulo IGBT, Infineon. La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz. Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como l...

Infineon

FP40R12KE3

a partir de € 104,451*
por unidad

MOSFET Infineon IPB80P04P407ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon. Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS ™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérd...

Infineon

IPB80P04P407ATMA1

a partir de € 37,475*
por 25 unidades

IGBT, STGWT80H65FB, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple (1 oferta)

Discretos IGBT, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STGWT80H65FB

a partir de € 4,26*
por unidad

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