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| N.º art.: 3318E-1258042 N.º fabricante: IXFN360N15T2 EAN/GTIN: 5059041633680 |
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![](/p.gif) | MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™ Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 310 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 150 V | Tipo de Encapsulado: | SOT-227 | Serie: | GigaMOS TrenchT2 HiperFET | Tipo de Montaje: | Montaje roscado | Conteo de Pines: | 4 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 4 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 5V | Tensión de umbral de puerta mínima: | 2.5V | Disipación de Potencia Máxima: | 1,07 kW | Tensión Máxima Puerta-Fuente: | -20 V, +20 V | Longitud: | 38.23mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +175 °C |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 1258042, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IXYS, IXFN360N15T2 |
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