N.º art.: 3318E-1258043
N.º fabricante: IXFN420N10T
EAN/GTIN: 5059041070577
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
420 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-227
Serie:
GigaMOS Trench HiperFET
Tipo de Montaje:
Montaje roscado
Conteo de Pines:
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
2,3 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2.5V
Disipación de Potencia Máxima:
1,07 kW
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
38.23mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: 1258043 , Semiconductores , Semiconductores Discretos , IXYS , IXFN420N10T
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