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IGBT, AIKW30N60CTXKSA1, 60 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2156615
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     AIKW30N60CTXKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada dispone de tecnología de parada de campo con diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida suave.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferencia electromagnética
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
187 W
Tipo de Encapsulado:
PG-TO247-3
Conteo de Pines:
3
Otros conceptos de búsqueda: 2156615, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, AIKW30N60CTXKSA1
Resumen de condiciones1
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Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.