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IGBT, IHW30N65R5XKSA1, 60 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2156639
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IHW30N65R5XKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
Transistor bipolar Infineon resonante de conmutación inversa de puerta aislada con diodo de cuerpo monolítico.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferencia electromagnética
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
60 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
176 W
Tipo de Encapsulado:
PG-TO247-3
Conteo de Pines:
3
Otros conceptos de búsqueda: 2156639, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, IHW30N65R5XKSA1
Resumen de condiciones1
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Stock en almacén
Precio
€ 1,094*
  
Precio válido a partir de 5 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 5 unidades
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