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IGBT, BIDW50N65T, 50 A, 650 V, TO-247 1


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2533509
Fabricante:
     Bourns
N.º fabricante:
     BIDW50N65T
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Disipación de Potencia Máxima = 416 W
Tipo de Encapsulado = TO-247
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
416 W
Número de transistores:
1
Configuración:
Diodo simple
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Otros conceptos de búsqueda: 2533509, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Bourns, BIDW50N65T
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 2,188*
  
Precio válido a partir de 2 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 2 unidades
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