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| N.º art.: 6368-1860816 N.º fabricante: IPB60R125C6ATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.11 ohm Gama de Producto CoolMOS C6 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 2 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 30 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 219 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, IPB60R125C6ATMA1, 1860816, 186-0816 |
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