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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5,5A; Idm: -18A; 1W; SOT363T


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-RF6C055BCTCR
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RF6C055BCTCR
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: SOT363T
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -5,5A
Resistencia en estado de transferencia: 25,8mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 15,2nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: -18A
Resumen de condiciones1
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a partir de 100000 unidades
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.