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IGBT, 1.2kV, 88A, SOT-227B


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N.º art.:
     9RQRV-30253266
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXA60IF1200NA
EAN/GTIN:
     Sin datos
Hoja de datos del artículo
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
IGBT, Type=IXA60IF1200NA, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=1.8 V, Collector-Emitter Voltage (Vceo)=1.2 kV, Continuous Collector Current (Ic)=88 A, Emitter Leakage Current=500 nA, Gate Emitter Voltage (Vge)=20 V, Operating Temperature Max.=125 °C, Operating Temperature Min.=-40 °C, Pins=4, Power Dissipation (Pd)=290 W, Configuration=Single, Mounting Type=SMD, Package Type=SOT-227B, Packaging=Tube
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541100000
Country of origin:
TW
Customs tariff number:
8541100000
Height:
8 mm
Net weight:
29 g
Depth:
38 mm
Gross weight:
29 g
Width:
26 mm
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
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Accesorios
Convertidor dc-dc 3W, Salida 5V dc, 120mA, 0.1
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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