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  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.803.119 artículos)

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MOSFET Infineon IPW60R099CPAFKSA1, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 31 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = CoolMOS™ Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia M...
Infineon
IPW60R099CPAFKSA1
a partir de € 5,65*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; Idm: 82A; 335W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 15A Resistencia en estado de transferencia: 0,24Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT24F50B
a partir de € 4,54*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STB10N95K5 MOSFET, CANAL N, 950V, 8A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.65 ohm Gama de Producto SuperMESH 5 Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
ST Microelectronics
STB10N95K5
a partir de € 1,54*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 300W; TO247 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 26A Resistencia en estado de transferencia: 0,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5020BVRG
a partir de € 10,38*
por unidad
 
 unidad
ROHM UT6MA3TCR MOSFET, CANAL N Y P, 20V, 5,5A, DFN2020 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 5.5 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión ...
ROHM Semiconductor
UT6MA3TCR
a partir de € 0,234*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; D3PAK (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: SMD Carcasa: D3PAK Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 27A Resistencia en estado de transferencia: 0,18Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5018SFLLG
a partir de € 10,86*
por unidad
 
 unidad
ROHM UT6MC5TCR MOSFET, CANAL N Y P, 60V, 3,5A, DFN2020 (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 2.5 A Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 60 V Corriente de Drenaje Contin...
ROHM Semiconductor
UT6MC5TCR
a partir de € 0,283*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPW60R099P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 34 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET de súper unión MOS P7 600V Cool sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) in...
Infineon
IPW60R099P7XKSA1
a partir de € 2,862*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 130ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 16A Resistencia en estado de transferencia: 0,3Ω Tipo de transisto...
IXYS
IXTH16N50D2
a partir de € 8,22*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STB11NK50ZT4 MOSFET, N CH, 500V, 10A, D2PAK (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.48 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
ST Microelectronics
STB11NK50ZT4
a partir de € 1,18*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 26A Resistencia en estado de transferencia: 0,25Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 500W ...
IXYS
IXFA26N50P3
a partir de € 3,45*
por unidad
 
 unidad
STARPOWER MD120HFR120C2S MàDULO MOSFET, 1.2KV, 200A, 150°C (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.01 ohm Gama de Producto - Número de Pines - Configuración de Módulo MOSFET Medio Puente Tipo de Canal Canal N Doble C...
STARPOWER
MD120HFR120C2S
a partir de € 386,42*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STB130N6F7 MOSFET, CANAL N, 60V, 80A, 175°C, 160W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0042 ohm Gama de Producto STripFET F7 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pi...
ST Microelectronics
STB130N6F7
a partir de € 1,08*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3,2A; 110W; DPAK,TO252 (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: DPAK;TO252 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 3,2A Resistencia en estado de transferencia: 1,7Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado...
Vishay
IRFR430APBF
a partir de € 0,33*
por unidad
 
 unidades
STARPOWER MD300HFR120C2S MàDULO MOSFET, 1.2KV, 381A, 150°C (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.005 ohm Gama de Producto - Número de Pines - Configuración de Módulo MOSFET Medio Puente Tipo de Canal Canal N Doble ...
STARPOWER
MD300HFR120C2S
a partir de € 700,81*
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