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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.815.654 artículos)

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ROHM RD3L140SPTL1 MOSFET, CANAL P, -60V, -14A, 150°C, 20W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.06 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
ROHM Semiconductor
RD3L140SPTL1
a partir de € 0,46*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPW60R280P6 transistore 600 V (1 oferta)
Infineon
IPW60R280P6FKSA1
a partir de € 48,90*
por 30 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB (2 ofertas) 
Fabricante: VISHAY Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 11A Resistencia en estado de transferencia: 0,26Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 2...
Vishay
IRFB18N50KPBF
a partir de € 1,52*
por unidad
 
 unidad
ROHM RQ5A030APTL MOSFET, CANAL P, -12V, SOT-346T (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.044 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
ROHM Semiconductor
RQ5A030APTL
a partir de € 0,129*
por unidad
 
 unidad
ROHM RD3L220SNFRATL MOSFET, CANAL N, 60V, 22A, 150°C, 20W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.018 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Co...
ROHM Semiconductor
RD3L220SNFRATL
a partir de € 0,848*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPW65R018CFD7XKSA1, VDSS 650 V, ID 106 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 106 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 ...
Infineon
IPW65R018CFD7XKSA1
a partir de € 15,25*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12,9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 12,9A Resistencia en estado de transferencia: 0,26Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado:...
onsemi
FDP20N50F
a partir de € 1,74*
por unidad
 
 unidad
ROHM RQ5C020TPTL MOSFET, CANAL P, -2A, -20V, SOT-346T (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.1 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
ROHM Semiconductor
RQ5C020TPTL
a partir de € 0,715*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPTG210N25NM3FDATMA1, VDSS 250 V, ID 77 A, PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 77 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 250 V Serie = OptiMOS™ 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...
Infineon
IPTG210N25NM3FDATMA1
a partir de € 4,457*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2,7A; 70W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 2,7A Resistencia en estado de transferencia: 1,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
ST Microelectronics
STP5NK50Z
a partir de € 0,45*
por unidad
 
 unidad
ROHM RD3P01BATTL1 MOSFET, CANAL P, 100V, 10A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.181 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P En...
ROHM Semiconductor
RD3P01BATTL1
a partir de € 0,398*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RQ5C030TPTL, VDSS 20 V, ID 3 A, SOT-346T de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = SOT-346T Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de C...
ROHM Semiconductor
RQ5C030TPTL
a partir de € 0,185*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPW95R060PFD7XKSA1, VDSS 950 V, ID 74,7 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 74,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 950 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Conteo de Pines = 3
Infineon
SP005547003
€ 8,292*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 208W; ISOPLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 24A Resistencia en estado de transferencia: 0,15Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado:...
IXYS
IXFR44N50P
a partir de € 9,01*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RD3P03BBHTL1, VDSS 6 V, ID 50 A, TO-252 de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 6 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de Can...
ROHM Semiconductor
RD3P03BBHTL1
a partir de € 0,652*
por unidad
 
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