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  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.802.359 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 11A; 85W; TO251 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO251 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 11A Resistencia en estado de transferencia: 530mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 85W ...
WAYON
WMP14N70C2
a partir de € 0,51*
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MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
a partir de € 13,573*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 5W; SOT223 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: SOT223 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 4A Resistencia en estado de transferencia: 1,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 5W Po...
WAYON
WMF07N70C2
a partir de € 0,26*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 11A Resistencia en estado de transferencia: 405mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 85W ...
WAYON
WMN14N60C2
a partir de € 0,55*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SH32N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 32 A, ACEPACK SMIT de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 32 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK SMIT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3
ST Microelectronics
SH32N65DM6AG
a partir de € 12,30*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 35W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 15A Resistencia en estado de transferencia: 0,36Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 35...
WAYON
WML15N80M3
a partir de € 1,30*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics RF5L08350CB4, VDSS 110 V, B4E de 5 pines (1 oferta) 
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 110 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxim...
ST Microelectronics
RF5L08350CB4
a partir de € 142,917*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 12A; 86W; TO251 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO251 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 12A Resistencia en estado de transferencia: 0,42Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 86W ...
WAYON
WMP16N70C2
a partir de € 0,55*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 90 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...
ST Microelectronics
SCTH70N120G2V-7
a partir de € 62,717*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 5,3A; 45W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 5,3A Resistencia en estado de transferencia: 1,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 45...
WAYON
WMK09N70C2
a partir de € 0,41*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 15A; 86W; TO251 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO251 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 15A Resistencia en estado de transferencia: 0,3Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 86W P...
WAYON
WMP20N60C2
a partir de € 0,74*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 2,5A; 29W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 2,5A Resistencia en estado de transferencia: 4Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 29W ...
WAYON
WMK03N80M3
a partir de € 0,30*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCT040HU65G3AG, VDSS 800 V, ID 10 A, Cinta y carrete (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = Cinta y carrete Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora
ST Microelectronics
SCT040HU65G3AG
a partir de € 11,91*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2,6A; 4,6W; SOT223 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: SOT223 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 2,6A Resistencia en estado de transferencia: 2,55Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 4,...
WAYON
WMF04N70C2
a partir de € 0,22*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTL35N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines (1 oferta) 
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance ...
ST Microelectronics
SCTL35N65G2V
a partir de € 12,395*
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