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  MOSFET  (25.087 ofertas entre 5.752.275 artículos)

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MOSFET STMicroelectronics STL260N4LF7, VDSS 40 V, ID 120 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = STL260N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dre...
ST Microelectronics
STL260N4LF7
€ 1,379*
por unidad
 
 unidades
MOSFET STMicroelectronics SCT1000N170, VDSS 1700 V, ID 7 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
SiC MOSFETSTMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una res...
ST Microelectronics
SCT1000N170
a partir de € 11,168*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 145ns Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 11mΩ Tipo de transist...
IXYS
IXFH120N30X3
a partir de € 10,37*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 167ns Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 150A Resistencia en estado de transferencia: 8,3mΩ Tipo de transis...
IXYS
IXFH150N30X3
a partir de € 13,15*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 12A Resistencia en estado de transferencia: 620mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 86W ...
WAYON
WMO12N80M3
a partir de € 1,04*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics STL320N4LF8, VDSS 40 V, ID 360 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 360 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PowerFLAT 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 ...
ST Microelectronics
STL320N4LF8
a partir de € 1,966*
por unidad
 
 unidades
MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines, 2elementos (1 oferta) 
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispo...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG
a partir de € 11,92*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 210A; 1250W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tiempo de disponibilidad: 190ns Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 210A Resistencia en estado de transferencia: 5,5mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXFK210N30X3
a partir de € 21,70*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics STHU32N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 75 A, HU3PAK (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 75 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HU3PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial
ST Microelectronics
STHU32N65DM6AG
€ 2.961,00*
por 600 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 105ns Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 26A Resistencia en estado de transferencia: 66mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXFP26N30X3
a partir de € 2,29*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics STD80N340K6, VDSS 800 V, ID 12 A, DPAK-3 de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = DPAK-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de C...
ST Microelectronics
STD80N340K6
a partir de € 1,52*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 12A Resistencia en estado de transferencia: 620mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 86W ...
WAYON
WMN12N80M3
a partir de € 0,62*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics STN3NF06, VDSS 60 V, ID 4 A, SOT-223 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = STN3N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenado...
ST Microelectronics
STN3NF06
€ 0,183*
por unidad
 
 unidades
MOSFET STMicroelectronics SCTH60N120G2-7, VDSS 1.200 V, ID 60 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resist...
ST Microelectronics
SCTH60N120G2-7
a partir de € 39,739*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 105ns Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 26A Resistencia en estado de transferencia: 66mΩ Tipo de transistor:...
IXYS
IXFA26N30X3
a partir de € 2,33*
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