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GENESIC SEMICONDUCTOR G3R20MT17N MOSFET, SIC, CANAL N, 1.7KV, 100A, 523W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.02 ohm Gama de Producto G3R Número de Pines 4 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Encap...
Genesic Semiconductor
G3R20MT17N
a partir de € 111,66*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: PowerPAK® SO8 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 1,54mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET + Schottky ...
Vishay
SIRC18DP-T1-GE3
a partir de € 0,69*
por unidad
 
 unidad
GENESIC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J MOSFET, SIC, CANAL N, 3.3KV, 4A, 74W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1 ohm Gama de Producto G2R Número de Pines 7 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Encapsul...
Genesic Semiconductor
G2R1000MT33J
a partir de € 14,62*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V (2 ofertas) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 40/60A Resistencia en estado de transferencia: 6,8/2,7mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET x2 + Schottky Poder disipado...
Vishay
SIZF918DT-T1-GE3
a partir de € 0,583*
por unidad
 
 unidad
GENESIC SEMICONDUCTOR G3R12MT12K MOSFET, CANAL N, 1.2KV, 155A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.012 ohm Gama de Producto G3R Series Número de Pines 4 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal...
Genesic Semiconductor
G3R12MT12K
a partir de € 51,53*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIZF300DT-T1-GE3 MOSFET, DOBLE CANAL N, 30V, 141A, 150°C (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 141 A Gama de Producto TrenchFET Gen IV SkyFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Núm...
Vishay
SIZF300DT-T1-GE3
a partir de € 0,469*
por unidad
 
 unidad
GENESIC SEMICONDUCTOR G3R160MT12J MOSFET, SIC, CANAL N, 1.2KV, 22A, 128W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.16 ohm Gama de Producto G3R Número de Pines 7 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corri...
Genesic Semiconductor
G3R160MT12J
a partir de € 5,25*
por unidad
 
 unidad
GENESIC SEMICONDUCTOR G3R40MT12J MOSFET, SIC, CANAL N, 1.2KV, 75A, 374W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.04 ohm Gama de Producto G3R Número de Pines 7 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corri...
Genesic Semiconductor
G3R40MT12J
a partir de € 12,23*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIZ980BDT-T1-GE3 MOSFET, DOBLE CANAL N, 30V, 197A, 66W (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 197 A Gama de Producto TrenchFET Gen IV SkyFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Núm...
Vishay
SIZ980BDT-T1-GE3
a partir de € 0,648*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: SC89;SOT563 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 610mA Resistencia en estado de transferencia: 1,1Ω Tipo de transistor: N-MOSFET x2 Poder disi...
Vishay
SI1036X-T1-GE3
a partir de € 0,11*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIA918EDJ-T1-GE3 MOSFET, 2X CANAL N 30V, POWERPAK SC-70 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 4.5 A Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 7.8 W Disipación de Potencia Canal P 7.8 W Temperatura de...
Vishay
SIA918EDJ-T1-GE3
a partir de € 0,68*
por 5 unidades
 
 envase
GENESIC SEMICONDUCTOR G3R60MT07K MOSFET, CANAL N, 750V, 37A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.06 ohm Gama de Producto G3R Series Número de Pines 4 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal ...
Genesic Semiconductor
G3R60MT07K
a partir de € 7,66*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 21mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET x2 Poder disipado: 3,9W ...
Vishay
SQ4282EY-T1_BE3
a partir de € 2.624,825*
por 2.500 unidades
 
 envase
GENESIC SEMICONDUCTOR G3R75MT12J MOSFET, CANAL N, 1.2KV, 42A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.075 ohm Gama de Producto G3R Número de Pines 7 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Enca...
Genesic Semiconductor
G3R75MT12J
a partir de € 8,33*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 40A (2 ofertas) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: PowerPAK® 1212-8 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 6A Resistencia en estado de transferencia: 26mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET x2 Poder di...
Vishay
SIS932EDN-T1-GE3
a partir de € 0,221*
por unidad
 
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