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  MOSFET  (25.087 ofertas entre 5.752.298 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 120A; Idm: 480A (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 2,4mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
ST Microelectronics
STP220N6F7
a partir de € 2,16*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W (1 oferta) 
Fabricante: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 48A Resistencia en estado de transferencia: 50mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW065SIC049
a partir de € 7,56*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TPH4R003NL,L1Q(M MOSFET, CANAL N, 30V, 40A, SOP ADVANCE (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0034 ohm Gama de Producto U-MOSVIII-H Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo d...
Toshiba
TPH4R003NL,L1Q(M
a partir de € 0,349*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 95A; 59W (1 oferta) 
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 95A Resistencia en estado de transferencia: 4,8mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder di...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJB150G06AK
a partir de € 0,38*
por unidad
 
 unidad
TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM050NB06CR RLG MOSFET, CANAL N, 60V, 104A, PDFN56 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0043 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Taiwan Semiconductor
TQM050NB06CR RLG
a partir de € 0,91*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W (1 oferta) 
Fabricante: LUGUANG ELECTRONIC Montaje: THT Carcasa: TO247-4 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 36A Resistencia en estado de transferencia: 75mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M60065Q
a partir de € 7,67*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TPH4R10ANL,L1Q(M MOSFET, N-CH, 100V, 70A, SOP (1 oferta) 
Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOP Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 67 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Susta...
Toshiba
TPH4R10ANL,L1Q(M
a partir de € 0,685*
por unidad
 
 unidad
TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM130NB06CR RLG MOSFET, CANAL N, 60V, 50A, PDFN56 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0117 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Taiwan Semiconductor
TQM130NB06CR RLG
a partir de € 0,57*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W (1 oferta) 
Fabricante: LUGUANG ELECTRONIC Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 64A Resistencia en estado de transferencia: 55mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M30065B
a partir de € 13,89*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TPH4R606NH,L1Q(M MOSFET, CANAL N, 60V, 85A, SOP ADVANCE (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0038 ohm Gama de Producto U-MOSVIII-H Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo d...
Toshiba
TPH4R606NH,L1Q(M
a partir de € 0,75*
por unidad
 
 unidad
TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM300NB06CR RLG MOSFET, CANAL N, 60V, 27A, PDFN56 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.025 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
Taiwan Semiconductor
TQM300NB06CR RLG
a partir de € 0,41*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TPH5200FNH,L1Q(M MOSFET, CANAL N, 250V, 26A, SOP ADVANCE (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.044 ohm Gama de Producto U-MOSVIII-H Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de...
Toshiba
TPH5200FNH,L1Q(M
a partir de € 1,10*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 3,6mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
ST Microelectronics
STP200NF03
a partir de € 1,38*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W (1 oferta) 
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO247 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 70A Resistencia en estado de transferencia: 39mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder di...
ROHM Semiconductor
SCT3030ALGC11
a partir de € 26,34*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TPH5R60APL,L1Q(M MOSFET, CANAL N, 100V, 60A, SOP ADVANCE (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0047 ohm Gama de Producto U-MOSIX-H Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de ...
Toshiba
TPH5R60APL,L1Q(M
a partir de € 0,453*
por unidad
 
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