MOSFET | MERCATEO (Página 339/1.692)

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MOSFET Infineon IRFZ24NPBF, VDSS 55 V, ID 17 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fac...

Infineon

IRFZ24NPBF

a partir de € 12,80*
por 50 unidades

VISHAY SI4825DDY-T1-GE3 MOSFET,P CH,DIODE,30V,14.9A,8-SOIC (3 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.01 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje ...

Vishay

SI4825DDY-T1-GE3

a partir de € 0,313*
por unidad

MOSFET Infineon IRFS7534TRL7PP, VDSS 60 V, ID 240 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon. La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja R ;sub>DS ;/sub>(on) y alta. Esta gama ofrece una resist...

Infineon

IRFS7534TRL7PP

a partir de € 4,586*
por 2 unidades

VISHAY SIHB15N60E-GE3 MOSFET, N CH, 600V, 15A, DPAK (3 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.23 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...

Vishay

SIHB15N60E-GE3

a partir de € 1,36*
por unidad

VISHAY SI4840BDY-T1-E3 MOSFET, N, SO-8 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0074 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...

Vishay

SI4840BDY-T1-E3

a partir de € 0,56*
por unidad

MOSFET Infineon IRLML6344TRPBF, VDSS 30 V, ID 5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y lo...

Infineon

IRLML6344TRPBF

a partir de € 282,00*
por 3.000 unidades

MOSFET Infineon IRL1004PBF, VDSS 40 V, ID 130 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fa...

Infineon

IRL1004PBF

€ 86,70*
por 50 unidades

MOSFET Vishay SI4848DY-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 2,7 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = SOIC Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistenci...

Vishay

SI4848DY-T1-GE3

a partir de € 0,591*
por unidad

MOSFET Infineon IRFTS8342TRPBF, VDSS 30 V, ID 8,2 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple (1 oferta)

Infineon

IRFTS8342TRPBF

a partir de € 8,55*
por 50 unidades

VISHAY SIHD180N60E-GE3 MOSFET, CANAL N, 19A, 600V, TO-252 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.17 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...

Vishay

SIHD180N60E-GE3

a partir de € 1,17*
por unidad

MOSFET Infineon IRLML5203TRPBF, VDSS 30 V, ID 3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fa...

Infineon

IRLML5203TRPBF

a partir de € 291,00*
por 3.000 unidades

MOSFET Vishay SI4946BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado (3 ofertas)

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4946BEY-T1-GE3

a partir de € 0,49*
por unidad

Infineon IRLML6401 transistore 40 V (4 ofertas)

Infineon

IRLML6401TRPBF

a partir de € 0,0957*
por unidad

VISHAY SIHD7N60E-GE3 MOSFET, N-CH, 600V, 7A, DPAK (2 ofertas)

Corriente de Drenaje Continua Id 7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 78 W Calificación ...

Vishay

SIHD7N60E-GE3

a partir de € 0,847*
por unidad

MOSFET Infineon IRL3705NPBF, VDSS 55 V, ID 89 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

Infineon

IRL3705NPBF

a partir de € 48,65*
por 50 unidades

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