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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.815.786 artículos)

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MOSFET Infineon IPW60R125CFD7XKSA1, VDSS 600 V, ID 18 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 18 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = CoolMOS™ CFD7 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resisten...
Infineon
IPW60R125CFD7XKSA1
a partir de € 3,141*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 0,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 460W P...
IXYS
IXFT30N50P
a partir de € 10,17*
por unidad
 
 unidad
ROHM RQ6A050ZPTR MOSFET, CANAL P, -12V, -5A, 150°C, 1.25W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.019 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaj...
ROHM Semiconductor
RQ6A050ZPTR
a partir de € 0,282*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STP3NK50Z MOSFET, CANAL N, 500V, 2.3A, TO-220-3 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 2.8 ohm Gama de Producto SuperMESH Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines M...
ST Microelectronics
STP3NK50Z
a partir de € 0,292*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RSR030N06HZGTL, VDSS 60 V, ID 3 A, SOT-346T de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-346T Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de C...
ROHM Semiconductor
RSR030N06HZGTL
a partir de € 0,214*
por unidad
 
 unidad
ROHM RQ6C050UNTR MOSFET, CANAL N, 20V, 5A, 150°C, 1.25W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.022 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaj...
ROHM Semiconductor
RQ6C050UNTR
a partir de € 0,211*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IQE008N03LM5ATMA1, VDSS 30 V, ID 253 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 253 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...
Infineon
IQE008N03LM5ATMA1
a partir de € 1,709*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A; 265W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 22A Resistencia en estado de transferencia: 0,24Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5024BFLLG
a partir de € 8,07*
por unidad
 
 unidad
ROHM RSS070P05HZGTB MOSFET, CANAL P, 45V, 7A, SOP (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.019 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Co...
ROHM Semiconductor
RSS070P05HZGTB
a partir de € 0,933*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPW60R125P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 30 A, PG-TO 247 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PG-TO 247 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPW60R125P6XKSA1
a partir de € 3,782*
por unidad
 
 unidad
ROHM RQ6E035TNTR MOSFET, CANAL N, 30V, 3.5A, 150°C, 1.25W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.038 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaj...
ROHM Semiconductor
RQ6E035TNTR
a partir de € 0,77*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2,5A; 40W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 2,5A Resistencia en estado de transferencia: 2,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 40W ...
onsemi
FDD3N50NZTM
a partir de € 0,41*
por unidad
 
 unidad
ROHM RSS095N05HZGTB MOSFET AEC-Q101 CANAL N 45V 9.5A SOP (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.011 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
ROHM Semiconductor
RSS095N05HZGTB
a partir de € 1,31*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF100B202, VDSS 100 V, ID 97 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 97 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Modo de Canal =...
Infineon
IRF100B202
a partir de € 1,087*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO268; 400ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tiempo de disponibilidad: 400ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 36A Resistencia en estado de transferencia: 0,17Ω Tipo de transistor...
IXYS
IXTT36N50P
a partir de € 7,10*
por unidad
 
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