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MOSFET IXYS IXFH15N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 15 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3. Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja desca...
IXYS
IXFH15N100Q3
€ 422,70*
por 30 unidades
 
 envase
VISHAY SIHP14N50D-GE3 MOSFET, N-CH, 500V, 14A, TO-220AB (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.32 ohm Gama de Producto D Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Or...
Vishay
SIHP14N50D-GE3
a partir de € 1,18*
por unidad
 
 unidad
MOSFET IXYS IXFH18N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 18 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3. Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja desca...
IXYS
IXFH18N100Q3
a partir de € 12,40*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLZ24NPBF, VDSS 55 V, ID 18 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fac...
Infineon
IRLZ24NPBF
a partir de € 20,70*
por 50 unidades
 
 envase
VISHAY SIHP186N60EF-GE3 MOSFET, 600V, 18A, 150°C, 156W (3 ofertas) 
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 156 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Tensión de Prueba Rds...
Vishay
SIHP186N60EF-GE3
a partir de € 1,52*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLS3034TRLPBF, VDSS 40 V, ID 343 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fa...
Infineon
IRLS3034TRLPBF
€ 1.121,60*
por 800 unidades
 
 envase
VISHAY SIHP22N60EF-GE3 MOSFET, N-CH, 600V, 19A, 150DEG C, 179W (3 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.158 ohm Gama de Producto EF Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Vishay
SIHP22N60EF-GE3
a partir de € 1,489*
por unidad
 
 unidad
MOSFET IXYS IXFH26N50P, VDSS 500 V, ID 26 A, TO-247 de 3 pines, config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™. MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
IXYS
IXFH26N50P
a partir de € 179,76*
por 30 unidades
 
 envase
VISHAY SQM50034E_GE3 MOSFET, N-CH, 60V, 100A, 175DEG C, 150W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0032 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pine...
Vishay
SQM50034E_GE3
a partir de € 0,917*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLZ34NSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 30 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fac...
Infineon
IRLZ34NSTRLPBF
a partir de € 11,76*
por 20 unidades
 
 envase
VISHAY SIHP38N60EF-GE3 MOSFET, CANAL N, 600V, 40A, 150°C, 313W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.061 ohm Gama de Producto EF Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Vishay
SIHP38N60EF-GE3
a partir de € 4,58*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLS3036TRLPBF, VDSS 60 V, ID 270 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión...
Infineon
IRLS3036TRLPBF
€ 1.323,20*
por 800 unidades
 
 envase
VISHAY SQR40020ER_GE3 MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 40V, TO-252-3 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0019 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pine...
Vishay
SQR40020ER_GE3
a partir de € 0,668*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIHU5N50D-GE3 MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, IPAK (3 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.2 ohm Gama de Producto D Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje d...
Vishay
SIHU5N50D-GE3
a partir de € 0,332*
por unidad
 
 unidad
MOSFET IXYS IXFH26N60P, VDSS 600 V, ID 26 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™. MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
IXYS
IXFH26N60P
a partir de € 155,61*
por 30 unidades
 
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