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  MOSFET  (25.384 ofertas entre 5.870.227 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8,5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO3PN Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 8,5A Resistencia en estado de transferencia: 0,48Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 21...
onsemi
FQA13N50C-F109
a partir de € 1,81*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SCT4026DRHRC15, VDSS 750 V, ID 56 A, TO-247-4L (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 56 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 750 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4L Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
ROHM Semiconductor
SCT4026DRHRC15
a partir de € 11,654*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF100P219AKMA1, VDSS 100 V, ID 316 A, PG-TO 247 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 316 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-TO 247 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IRF100P219AKMA1
a partir de € 5,406*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 35A; Idm: 140A; 403W; D3PAK (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: SMD Carcasa: D3PAK Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 35A Resistencia en estado de transferencia: 0,14Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5014SLLG
a partir de € 15,00*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RSQ025P03HZGTR, VDSS 30 V, ID 2,5 A, SOT-457T de 6 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SOT-457T Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Modo de...
ROHM Semiconductor
RSQ025P03HZGTR
a partir de € 0,213*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SCT4036KEHRC11, VDSS 1.200 V, ID 43 A, TO-247N (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 43 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = TO-247N Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
ROHM Semiconductor
SCT4036KEHRC11
a partir de € 11,633*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF2204PBF, VDSS 40 V, ID 210 A, TO-220AB de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 210 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Modo de Canal =...
Infineon
IRF2204PBF
a partir de € 1,406*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 830W; PLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 64A Resistencia en estado de transferencia: 85mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 830...
IXYS
IXFX64N50P
a partir de € 11,17*
por unidad
 
 unidad
ROHM RSS060P05HZGTB MOSFET AEC-Q101 CANAL P -45V -6A SOP (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.026 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
ROHM Semiconductor
RSS060P05HZGTB
a partir de € 1,13*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IQE030N06NM5ATMA1, VDSS 60 V, ID 137 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 137 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...
Infineon
IQE030N06NM5ATMA1
a partir de € 1,877*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM SCT4036KRHRC15, VDSS 1.200 V, ID 43 A, TO-247-4L (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 43 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4L Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
ROHM Semiconductor
SCT4036KRHRC15
a partir de € 11,842*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF100S201, VDSS 100 V, ID 192 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 192 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Número de Elementos po...
Infineon
IRF100S201
a partir de € 2,287*
por unidad
 
 unidades
STMICROELECTRONICS STY60NM50 MOSFET, N, MAX-247 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.05 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Or...
ST Microelectronics
STY60NM50
a partir de € 10,28*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RSS065N06HZGTB, VDSS 30 V, ID 6,5 A, SOP de 8 pines (2 ofertas) 
MOSFET Rohm de grado de automoción RSS065N06HZG n con certificación EC-Q101. El encapsulado SOP8 incluye un MOSFET 60V de canal N con diodo de protección ESD. Ideal para aplicaciones de conmutación...
ROHM Semiconductor
RSS065N06HZGTB
a partir de € 0,552*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 0,5µs Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 40A Resistencia en estado de transferencia: 0,17Ω Tipo de transistor:...
IXYS
IXTQ40N50L2
a partir de € 11,33*
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