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  MOSFET  (25.180 ofertas entre 5.803.415 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 400ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 16A Resistencia en estado de transferencia: 0,4Ω Tipo de transistor: ...
IXYS
IXTQ16N50P
a partir de € 2,55*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPAN70R600P7S transistore 700 V (2 ofertas)
Infineon
IPAN70R600P7SXKSA1
a partir de € 0,296*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMC3032LFDB-7, VDSS 30 V, ID 5,3 A, U-DFN2020-6 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 5,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = U-DFN2020-6
Diodes
DMC3032LFDB-7
a partir de € 0,207*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 400ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 16A Resistencia en estado de transferencia: 0,4Ω Tipo de transisto...
IXYS
IXTP16N50P
a partir de € 2,34*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPB100N12S3-05 transistore 120 V (2 ofertas)
Infineon
IPB100N12S305ATMA1
a partir de € 1,96*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPB027N10N5 transistore 40 V (2 ofertas)
Infineon
IPB027N10N5ATMA1
a partir de € 2,59*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics STWA70N65DM6, VDSS 650 V, ID 68 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una ca...
ST Microelectronics
STWA70N65DM6
a partir de € 10,326*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P (2 ofertas) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 150ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 50A Resistencia en estado de transferencia: 60mΩ Tipo de transistor: ...
IXYS
IXTQ50N20P
a partir de € 2,31*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPB110P06LM transistore 60 V (2 ofertas)
Infineon
IPB110P06LMATMA1
a partir de € 1,918*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex 2N7002DWK-7, VDSS 60 V, ID 261 mA, SOT-363 de 6 pines (1 oferta) 
El MOSFET de canal N doble DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte...
Diodes
2N7002DWK-7
€ 93,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH16N80P MOSFET, N, TO-247 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.6 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Ori...
IXYS
IXFH16N80P
a partir de € 5,31*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPB048N15N5 transistore 150 V (2 ofertas)
Infineon
IPB048N15N5ATMA1
a partir de € 4,31*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMC3401LDW-7, VDSS 30 V, ID 550 mA, 800 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 550 mA, 800 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = DMC3401 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resistenci...
Diodes
DMC3401LDW-7
a partir de € 0,217*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 0,5µs Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 22A Resistencia en estado de transferencia: 0,35Ω Tipo de transistor:...
IXYS
IXTQ22N60P
a partir de € 3,80*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMG3415U-7-57, VDSS 20 V, ID 4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia...
Diodes
DMG3415U-7-57
a partir de € 222,00*
por 3.000 unidades
 
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