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  MOSFET  (25.083 ofertas entre 5.753.498 artículos)

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MOSFET onsemi NTMFS3D2N10MDT1G, VDSS 100 V, ID 142 A, DFN5 de 5 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 142 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = DFN5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5
onsemi
NTMFS3D2N10MDT1G
a partir de € 1,703*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 96A; 190W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 24A Resistencia en estado de transferencia: 0,14Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
ST Microelectronics
STP33N65M2
a partir de € 2,35*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SQJ264EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 54 A, PowerPAK SO-8L doble de 6 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 54 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = SQJ264EP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resistencia Máxima Dre...
Vishay
SQJ264EP-T1_GE3
a partir de € 0,54*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMT190N65S3HF, VDSS 650 V, ID 20 A, PQFN4 8 x 8 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NTMT190N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Dr...
onsemi
NTMT190N65S3HF
a partir de € 4,448*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 120A; 250W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 33A Resistencia en estado de transferencia: 91mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
ST Microelectronics
STP50N65DM6
a partir de € 5,02*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQM120N06-06_GE3 MOSFET, CANAL N, 60V, 120A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0045 ohm Gama de Producto TrenchFET Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de ...
Vishay
SQM120N06-06_GE3
a partir de € 1,68*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMTSC002N10MCTXG, VDSS 100 V, ID 236 A, TDFNW8 de 8 pines (1 oferta) 
on Semiconductor serie NTMTS es un MOSFET de canal N que tiene una tensión de drenaje a fuente de 100 V. Normalmente se utiliza rectificación síncrona y conversión dc-dc.Sin plomo En conformidad co...
onsemi
NTMTSC002N10MCTXG
€ 7.581,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; PLUS247™; 200ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 100A Resistencia en estado de transferencia: 30mΩ Tipo de transis...
IXYS
IXFX100N65X2
a partir de € 11,59*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQJ402EP-T1_GE3 MOSFET, CANAL N, 100V, 32A, 175°C, 83W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.009 ohm Gama de Producto TrenchFET Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Ca...
Vishay
SQJ402EP-T1_GE3
a partir de € 0,586*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTP125N65S3H, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepc...
onsemi
NTP125N65S3H
€ 2,006*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SQM30010EL_GE3 MOSFET, CANAL N, 120A, 30V, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0011 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pine...
Vishay
SQM30010EL_GE3
a partir de € 1,38*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMFS6H824NT1G, VDSS 60 V, ID 20 A, DFN (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = DFN Tipo de Montaje = Montaje superficial
onsemi
NTMFS6H824NT1G
a partir de € 0,996*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SQJ409EP-T1_GE3 MOSFET AEC-Q101 CANAL P -40V/POWERPAK SO (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0058 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pine...
Vishay
SQJ409EP-T1_GE3
a partir de € 2,705*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NTMTS4D3N15MC, VDSS 150 V, ID 175 A, DFNW8 de 8 pines (1 oferta) 
The ON Semiconductor N-Channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...
onsemi
NTMTS4D3N15MC
a partir de € 4,60*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SQM40061EL_GE3 MOSFET, CANAL P, -40V, -100A, 175°C (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0042 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pine...
Vishay
SQM40061EL_GE3
a partir de € 0,949*
por unidad
 
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