MOSFET | MERCATEO (Página 690/1.692)

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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 47A; Idm: 188A (1 oferta)

Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 47A Resistencia en estado de transferencia: 0,1Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5010LVFRG

a partir de € 18,69*
por unidad

MOSFET Infineon IPB80P04P4L08ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, PG-TO263-3-2 (2 ofertas)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 80 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3-2 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

IPB80P04P4L08ATMA2

a partir de € 0,872*
por unidad

MOSFET DiodesZetex DMN3069L-7, VDSS 30 V, ID 5,4 A, SOT-23 de 3 pines (1 oferta)

DiodesZetex serie DMN3061SWQ es un MOSFET de canal N. Se utiliza en interruptor de interfaz de uso general, funciones de gestión de potencia e interruptor analógico.Baja capacitancia de entrada Vel...

Diodes

DMN3069L-7

a partir de € 0,139*
por unidad

MOSFET Infineon IMW120R140M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 19 A, TO-247 de 3 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 19 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...

Infineon

IMW120R140M1HXKSA1

a partir de € 4,468*
por unidad

INFINEON IPD130N10NF2SATMA1 MOSFET, CANAL N, 100V, 52A, TO-252 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0112 ohm Gama de Producto StronglRFET Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo d...

Infineon

IPD130N10NF2SATMA1

a partir de € 0,388*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A (1 oferta)

Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 32A Resistencia en estado de transferencia: 0,15Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5015BVFRG

a partir de € 12,75*
por unidad

Infineon IPB90N06S4L-04 transistore 60 V (1 oferta)

Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2

a partir de € 1,09*
por unidad

MOSFET DiodesZetex DMN3061SVTQ-7, VDSS 30 V, ID 3,4 A, TSOT26 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = TSOT26

Diodes

DMN3061SVTQ-7

€ 288,00*
por 3.000 unidades

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A (1 oferta)

Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 27A Resistencia en estado de transferencia: 0,3Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8030LVRG

a partir de € 22,35*
por unidad

Infineon IPD15N06S2L-64 transistore 55 V (2 ofertas)

Infineon

IPD15N06S2L64ATMA2

a partir de € 0,281*
por unidad

MOSFET DiodesZetex DMNH15H110SPS-13, VDSS 150 V, ID 27 A, PowerDI5060-8 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 27 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Serie = DMNH15H110SPS Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxi...

Diodes

DMNH15H110SPS-13

€ 1.060,00*
por 2.500 unidades

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A (1 oferta)

Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 21A Resistencia en estado de transferencia: 0,3Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6030BVRG

a partir de € 11,93*
por unidad

MOSFET Infineon IPD038N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, PG-TO252-3 de 3 pines, 2elementos (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-TO252-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo ...

Infineon

IPD038N06NF2SATMA1

a partir de € 1,69*
por 5 unidades

MOSFET DiodesZetex DMN31D5UFO-7B, VDSS 30 V, ID 410 mA, X2-DFN0604-3 de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 410 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = X2-DFN0604-3 Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0...

Diodes

DMN31D5UFO-7B

a partir de € 0,073*
por unidad

LITTELFUSE LSIC1MO120E0160 MOSFET, CANAL N, 1200V, 14A, TO-247 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.16 ohm Gama de Producto LSIC1MO120 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Configuración d...

Littelfuse

LSIC1MO120E0160

a partir de € 7,73*
por unidad

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