MOSFET | MERCATEO (Página 682/1.693)

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MOSFET DiodesZetex DMN2055UQ-7, VDSS 20 V, ID 4,8 A, SOT-23 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = SOT-23

Diodes

DMN2055UQ-7

€ 219,00*
por 3.000 unidades

Infineon IPB60R040C7 transistore 600 V (2 ofertas)

Infineon

IPB60R040C7ATMA1

a partir de € 5,835*
por unidad

MOSFET DiodesZetex DMN3055LFDBQ-7, VDSS 30 V, ID 5 A, U-DFN2020 de 6 pines, 2elementos (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = U-DFN2020 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resisten...

Diodes

DMN3055LFDBQ-7

a partir de € 0,595*
por 5 unidades

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1,2kV; TO247-3 (1 oferta)

Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Tipo de transistor: N-MOSFET Polarización: unipolar Tecnología: POWER MOS 5® Clase de canal: enriquecido

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1201R6BVRG

a partir de € 11,65*
por unidad

Infineon IPB048N15N5 transistore 150 V (2 ofertas)

Infineon

IPB048N15N5ATMA1

a partir de € 4,51*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 600V; 38A; Idm: 152A (1 oferta)

Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 0,15Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6015LVRG

a partir de € 19,73*
por unidad

Infineon IPB60R045P7 transistore 600 V (2 ofertas)

Infineon

IPB60R045P7ATMA1

a partir de € 3,72*
por unidad

MOSFET DiodesZetex DMN2710UDW-7, VDSS 20 V, ID 800 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 800 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = SOT-363 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resiste...

Diodes

DMN2710UDW-7

a partir de € 0,147*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A (1 oferta)

Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 0,17Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5017BVFRG

a partir de € 12,25*
por unidad

Infineon IPB120N06S4-03 transistore 55 V (2 ofertas)

Infineon

IPB120N06S403ATMA2

a partir de € 1,23*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1,2kV; 10A; TO247-3 (1 oferta)

Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 10A Resistencia en estado de transferencia: 1,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1201R5BVRG

a partir de € 33,28*
por unidad

Infineon IPB60R060C7 transistore 600 V (2 ofertas)

Infineon

IPB60R060C7ATMA1

a partir de € 3,205*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A (1 oferta)

Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 75A Resistencia en estado de transferencia: 25mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M25BVRG

a partir de € 9,20*
por unidad

Infineon IPB120N10S4-05 transistore 100 V (2 ofertas)

Infineon

IPB120N10S405ATMA1

a partir de € 1,61*
por unidad

MOSFET DiodesZetex DMN31D5UDAQ-7B, VDSS 30 V, ID 400 mA, X2-DFN0806-6 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 400 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = X2-DFN0806-6 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Diodes

DMN31D5UDAQ-7B

€ 320,00*
por 10.000 unidades

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