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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.818.054 artículos)

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Infineon IPD95R450P7 transistore 600 V (3 ofertas)
Infineon
IPD95R450P7ATMA1
a partir de € 1,06*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMP2900UW-7, VDSS 20 V, ID 600 mA, SOT-323 de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET DiodesZetex 20V de modo de mejora de canal P está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en id...
Diodes
DMP2900UW-7
a partir de € 0,195*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 73A; Idm: 275A; 500W (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-4 Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 73A Resistencia en estado de transferencia: 31mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120B4
a partir de € 36,34*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPF013N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 232 A, PG-TO263-7 de 7 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 232 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Modo ...
Infineon
IPF013N04NF2SATMA1
a partir de € 1,09*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMP2040USS-13, VDSS 20 V, ID 7 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia M...
Diodes
DMP2040USS-13
a partir de € 0,102*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPDD60R102G7 transistore 600 V (2 ofertas)
Infineon
IPDD60R102G7XTMA1
a partir de € 2,68*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMP22D5UDA-7B, VDSS 20 V, ID 350 mA, X2-DFN0806-6 (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 350 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = X2-DFN0806-6 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Diodes
DMP22D5UDA-7B
€ 370,00*
por 10.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 8A; Idm: 28A; 78W (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 0,45Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC360SMA120B
a partir de € 5,58*
por unidad
 
 unidad
INFINEON IPF023N08NF2SATMA1 MOSFET, CANAL N, 80V, 209A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.002 ohm Gama de Producto StronglRFET Series Número de Pines 7 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de...
Infineon
IPF023N08NF2SATMA1
a partir de € 1,45*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMP2040UND-7, VDSS 20 V, ID 5,3 A, PowerDI3333-8 de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 5,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = PowerDI3333-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Re...
Diodes
DMP2040UND-7
a partir de € 0,289*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 43A; Idm: 160A; 438W (2 ofertas) 
Fabricante: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO247-4 Tensión drenaje-fuente: 1,7kV Corriente del drenaje: 43A Resistencia en estado de transferencia: 45mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
Genesic Semiconductor
G3R45MT17K
a partir de € 25,68*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPF009N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 302 A, PG-TO263-7 de 7 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 302 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Modo ...
Infineon
IPF009N04NF2SATMA1
a partir de € 1,59*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMP3011SPSW-13, VDSS 30 V, ID 14 A, PowerDI5060-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 14 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PowerDI5060-8
Diodes
DMP3011SPSW-13
€ 622,50*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IMW120R220M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 13 A, TO-247 de 3 pines (2 ofertas) 
El MOSFET Infineon CoolSiC™ de 1.200 V, 220 mΩ SiC en encapsulado TO247-3 se ha construido sobre un proceso semiconductor Trench de vanguardia optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad. E...
Infineon
IMW120R220M1HXKSA1
a partir de € 4,201*
por unidad
 
 unidad
INFINEON IPF042N10NF2SATMA1 MOSFET, CANAL N, 100V, 139A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0037 ohm Gama de Producto StronglRFET Series Número de Pines 7 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo d...
Infineon
IPF042N10NF2SATMA1
a partir de € 1,004*
por unidad
 
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