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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.818.054 artículos)

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MOSFET Vishay SIR5710DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 26,8 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26,8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 ...
Vishay
SIR5710DP-T1-RE3
a partir de € 0,476*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM BSM400D12P2G003, VDSS 1.200 V, ID 400 A, Lote (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 400 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Lote Tipo de Montaje = Montaje roscado
ROHM Semiconductor
BSM400D12P2G003
a partir de € 1.527,066*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31,2A; 277,8W; PG-TO262-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO262-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 31,2A Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Infineon
IPI65R110CFDXKSA1
a partir de € 3,05*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIUD403ED-T1-GE3 MOSFET, CANAL P, 20V/0.5A, POWERPAK 0806 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.01 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen III Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de ...
Vishay
SIUD403ED-T1-GE3
a partir de € 0,0465*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVTFS4C02NWFTAG, VDSS 30 V, ID 162 A, WDFN de 8 pines (1 oferta) 
The ON Semiconductor industrial power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable flank capable for enhanced opti...
onsemi
NVTFS4C02NWFTAG
a partir de € 1,575*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay SiR578DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 70,2 A., POWERPAK SO-8 de 8 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 70,2 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Serie = N-Channel 150 V Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia...
Vishay
SiR578DP-T1-RE3
a partir de € 0,891*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Renesas Electronics RJK0651DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 25 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 25 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = LFPAK, SOT-669 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Re...
Renesas Electronics
RJK0651DPB-00J5
a partir de € 0,824*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO268HV; 390ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268HV Tiempo de disponibilidad: 390ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 34A Resistencia en estado de transferencia: 96mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXTT34N65X2HV
a partir de € 5,26*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIZ200DT-T1-GE3 MOSFET DOBLE CANAL N, 30V/61A, POWERPAIR (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 61 A Gama de Producto TrenchFET Gen IV Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de P...
Vishay
SIZ200DT-T1-GE3
a partir de € 0,361*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM R6012JNXC7G, VDSS 600 V, ID 12 A, TO-220FM de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-220FM Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
ROHM Semiconductor
R6012JNXC7G
a partir de € 1,26*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8,3A; 83,3W; PG-VSON-4 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-VSON-4 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 8,3A Resistencia en estado de transferencia: 0,46Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...
Infineon
IPL65R460CFDAUMA1
a partir de € 1,08*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiR582DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 116 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 116 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
Vishay
SiR582DP-T1-RE3
a partir de € 4,105*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET ROHM BSM600C12P3G201, VDSS 1.200 V, ID 576 A, Bandeja (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 576 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Bandeja Tipo de Montaje = Montaje roscado
ROHM Semiconductor
BSM600C12P3G201
a partir de € 939,402*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO220AB; 400ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 400ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 32A Resistencia en estado de transferencia: 135mΩ Tipo de transist...
IXYS
IXTP32N65X
a partir de € 3,59*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiZ250DT-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 38 A, PowerPAIR de 3 x 3FDC de 8 pines, 2elementos (3 ofertas) 
El Vishay SiZ250DT-T1-GE3 es un MOSFET de canal N doble 60V (D-S).MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV 100 % Rg y prueba UIS La relación QGS/QGS optimizada mejora la conmutación Características
Vishay
SiZ250DT-T1-GE3
a partir de € 2,20*
por 5 unidades
 
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