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  MOSFET  (25.383 ofertas entre 5.869.044 artículos)

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IXYS SEMICONDUCTOR IXTP160N10T MOSFET, CANAL N, 100V, 160A, TO-220 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0061 ohm Gama de Producto Trench Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N...
IXYS
IXTP160N10T
a partir de € 2,24*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMTH10H2M5STLW-13, VDSS 100 V, ID 248 A, POWERDI1012-8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 248 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = DMTH10H2M5STLW Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0025 O Modo d...
Diodes
DMTH10H2M5STLW-13
a partir de € 7,258*
por 2 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 2,1Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7M120B
a partir de € 7,15*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF3805STRL-7PP, VDSS 55 V, ID 240 A, D2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas) 
Este MOSFET Infineon HEXFET Power utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de e...
Infineon
IRF3805STRL-7PP
a partir de € 1,73*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMTH15H017SPSW-13, VDSS 150 V, ID 11 A, PowerDI5060-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 11 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = PowerDI5060-8
Diodes
DMTH15H017SPSW-13
€ 1.940,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 9A; Idm: 36A; 300W; D3PAK (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: SMD Carcasa: D3PAK Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 9A Resistencia en estado de transferencia: 1,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R4SFLLG
a partir de € 22,77*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMT61M8SPS-13, VDSS 60 V, ID 205 A, PowerDI5060-8 de 8 pines (1 oferta) 
El MOSFET DiodesZetex serie DMT61M8SPS está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones...
Diodes
DMT61M8SPS-13
a partir de € 1,25*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; D3PAK (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: SMD Carcasa: D3PAK Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 2,4Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7F120S
a partir de € 8,51*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMT47M2SFVW-7, VDSS 40 V, ID 15,4 A, 49,1 A, PowerDI3333-8 de 8 pines (1 oferta) 
El MOSFET DiodesZetex 40V de modo de mejora de canal N de 8 contactos está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior...
Diodes
DMT47M2SFVW-7
a partir de € 0,414*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 0,2A; 33W; TO220AB; 1,6us (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 1,6µs Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 0,2A Resistencia en estado de transferencia: 75Ω Tipo de transist...
IXYS
IXTP02N120P
a partir de € 1,30*
por unidad
 
 unidad
Infineon IRF200B211 transistore 200 V (3 ofertas)
Infineon
IRF200B211
a partir de € 0,45*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMTH10H4M5LPS-13, VDSS 100 V, ID 100 A, PowerDI5060-8 de 8 pines (1 oferta) 
El MOSFET DiodesZetex 100V de modo de mejora de canal N de 8 contactos está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión y mantener un rendimiento de conmutación superior, este disp...
Diodes
DMTH10H4M5LPS-13
€ 2.465,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 6A; 300W; TO268; 850ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tiempo de disponibilidad: 850ns Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 6A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 300W Polarización: ...
IXYS
IXTT6N120
a partir de € 7,88*
por unidad
 
 unidad
Infineon IRF4104 transistore 40 V (3 ofertas)
Infineon
IRF4104PBF
a partir de € 0,76*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMTH3002LK3-13, VDSS 30 V, ID 150 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 150 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = DMTH3002LK3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima...
Diodes
DMTH3002LK3-13
a partir de € 0,622*
por unidad
 
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