MOSFET | MERCATEO (Página 1.217/1.679)

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MOSFET ROHM R6511END3TL1, VDSS 650 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 11 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Re...

ROHM Semiconductor

R6511END3TL1

a partir de € 0,842*
por unidad

MOSFET Vishay IRFBE20PBF, VDSS 800 V, ID 1,8 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFBE20PBF

a partir de € 0,61*
por unidad

YAGEO XSEMI XP4NAR95CMT-A MOSFET, CANAL N, 45V, 264A, DSOP (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 950 µohm Gama de Producto XP4NAR95 Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Can...

YAGEO XSEMI

XP4NAR95CMT-A

a partir de € 2,42*
por unidad

YAGEO XSEMI XP60AN750IN MOSFET, CANAL N, 600V, 10A, TO-220 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.75 ohm Gama de Producto XP60AN750 Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal...

YAGEO XSEMI

XP60AN750IN

a partir de € 1,47*
por unidad

MOSFET ROHM RF4G100BGTCR, VDSS 40 V, ID 10 A, HUML2020L8 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = HUML2020L8 Tipo de Montaje = Montaje superficial

ROHM Semiconductor

RF4G100BGTCR

a partir de € 0,271*
por unidad

YAGEO XSEMI XP60PN72RLEN MOSFET, CANAL N, 600V, 0.053A, SOT-23 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 72 ohm Gama de Producto XP60PN72 Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal...

YAGEO XSEMI

XP60PN72RLEN

a partir de € 0,193*
por unidad

MOSFET ROHM RD3P130SPFRATL, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta)

El MOSFET de Rohm dispone de baja resistencia de conexión y velocidad de conmutación rápida. Es fácil de usar en paralelo y tiene baja resistencia de conexión.Sin plomo En conformidad con RoHS

ROHM Semiconductor

RD3P130SPFRATL

a partir de € 0,764*
por unidad

YAGEO XSEMI XP60SL115DR MOSFET, CANAL N, 600V, 28A, TO-262 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.115 ohm Gama de Producto XP60SL115D Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Can...

YAGEO XSEMI

XP60SL115DR

a partir de € 6,04*
por unidad

MOSFET ROHM R6515KNX3C16, VDSS 650 V, ID 15 A, TO-220AB de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 15 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-220AB Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...

ROHM Semiconductor

R6515KNX3C16

a partir de € 1,317*
por unidad

Infineon IPW80R280P7 transistore 800 V (2 ofertas)

Infineon

IPW80R280P7XKSA1

a partir de € 1,67*
por unidad

YAGEO XSEMI XP65AN1K2IT MOSFET, CANAL N, 650V, 7A, TO-220CFM (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.2 ohm Gama de Producto XP65AN1K2 Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal ...

YAGEO XSEMI

XP65AN1K2IT

a partir de € 1,30*
por unidad

MOSFET ROHM RCJ331N25TL, VDSS 250 V, ID 33 A, TO-263S de 3 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 250 V Tipo de Encapsulado = TO-263S Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Número d...

ROHM Semiconductor

RCJ331N25TL

a partir de € 1,61*
por unidad

YAGEO XSEMI XP6N090N MOSFET, CANAL N, 60V, 2.5A, SOT-23S (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.09 ohm Gama de Producto XP6N090 Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Cana...

YAGEO XSEMI

XP6N090N

a partir de € 0,575*
por 5 unidades

MOSFET ROHM RF4L070BGTCR, VDSS 60 V, ID 7 A, HUML2020L8 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = HUML2020L8 Tipo de Montaje = Montaje superficial

ROHM Semiconductor

RF4L070BGTCR

a partir de € 0,271*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 75V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 4,1mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Po...

Infineon

IRFB3207ZGPBF

a partir de € 2,23*
por unidad

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