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  MOSFET  (25.087 ofertas entre 5.752.298 artículos)

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NEXPERIA PMV100XPEAR MOSFET AEC-Q101, CANAL P, -20V, TO-236AB (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.097 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Nexperia
PMV100XPEAR
a partir de € 0,0566*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IAUT260N10S5N019ATMA1, VDSS 100 V, ID 260 A, HSOF-8 de 8 pines (1 oferta) 
MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOS™-5 serie 100V. Tiene UN tipo de paquete DE PEAJE (HSOF-8).Canal N - Modo de mejora MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C Temperatura de...
Infineon
IAUT260N10S5N019ATMA1
€ 1,778*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 28A Resistencia en estado de transferencia: 370mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
Microchip Technology
APT10035LFLLG
a partir de € 31,57*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV30XPAR MOSFET, CANAL P, 20V, 4.9A, 175°C, 0.61W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 8 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.025 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
Nexperia
PMV30XPAR
a partir de € 0,4155*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IAUZ40N10S5N130ATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (1 oferta) 
El nivel normal del canal Infineon n tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C y un 100 % probado para avalancha. Además de otras, se utiliza en iluminación LED y aplicaciones relacionadas ...
Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1
€ 0,41*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 5A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 250W Polarización: unipolar Clase de empaquetado: t...
IXYS
IXFP5N100P
a partir de € 2,62*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV130ENEAR MOSFET, CANAL N, 40 V, 2.1 A, SOT23 (2 ofertas) 
Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.095 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad...
Nexperia
PMV130ENEAR
a partir de € 0,0913*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IAUC120N04S6N006ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 N...
Infineon
IAUC120N04S6N006ATMA1
€ 5.020,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2,5kV; 3A; 417W; TO264; 370ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tiempo de disponibilidad: 370ns Tensión drenaje-fuente: 2,5kV Corriente del drenaje: 3A Resistencia en estado de transferencia: 10Ω Tipo de transistor: ...
IXYS
IXTK3N250L
a partir de € 60,69*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV35EPER MOSFET, CANAL N, 30V, 4.2A, TO-236AB (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.035 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Nexperia
PMV35EPER
a partir de € 0,63*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 32A Resistencia en estado de transferencia: 0,32Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 960W P...
IXYS
IXFK32N100P
a partir de € 16,23*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV15ENER MOSFET, CANAL N, 30V, 6.2A, SOT-23 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.015 ohm Gama de Producto Trench Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 P...
Nexperia
PMV15ENER
a partir de € 0,507*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IAUT300N08S5N014ATMA1, VDSS 80 V, ID 300 A, HSOF-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 300 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = HSOF-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IAUT300N08S5N014ATMA1
€ 1,646*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay IRFPG30PBF, VDSS 1.000 V, ID 3,1 A, TO-247AC (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,1 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.000 V Tipo de Encapsulado = TO-247AC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Vishay
IRFPG30PBF
a partir de € 1,31*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV37ENEAR MOSFET AEC-Q101 CANAL N 60V 3.5A 0.71W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.037 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor M...
Nexperia
PMV37ENEAR
a partir de € 0,555*
por 5 unidades
 
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