Categorías
España
Español
Cuenta
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.802.359 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2,5kV; 0,2A; 83W; TO247-3; 1,5us (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 1,5µs Tensión drenaje-fuente: 2,5kV Corriente del drenaje: 0,2A Resistencia en estado de transferencia: 450Ω Tipo de transis...
IXYS
IXTH02N250
a partir de € 11,06*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMPB14R7EPX MOSFET, CANAL P, 30V, 8A, DFN2020M (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0145 ohm Gama de Producto Trench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines M...
Nexperia
PMPB14R7EPX
a partir de € 0,65*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IAUT150N10S5N035ATMA1, VDSS 100 V, ID 150 A, HSOF-8 de 8 pines (1 oferta) 
El MOSFET de canal N Infineon tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C y se ha probado un 100 % de avalancha.Cumple con RoHS y tiene certificación AEC Q101
Infineon
IAUT150N10S5N035ATMA1
a partir de € 2,08*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 9A Resistencia en estado de transferencia: 880mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT14M100B
a partir de € 7,15*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMPB14XPZ MOSFET, CANAL P, 12V, 12.7A, SOT-1220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.014 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P C...
Nexperia
PMPB14XPZ
a partir de € 0,58*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 20A; Idm: 120A; 1,04kW; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,38Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT31M100L
a partir de € 16,80*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMPB14XNX MOSFET, CANAL N, 40V, 8.1A, DFN2020MD (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.015 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaj...
Nexperia
PMPB14XNX
a partir de € 0,695*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IAUC45N04S6L063HATMA1, VDSS 40 V, ID 45 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
Infineon
IAUC45N04S6L063HATMA1
a partir de € 0,478*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12,3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 12,3A Resistencia en estado de transferencia: 0,15Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1...
onsemi
FQB19N20TM
a partir de € 1,01*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMPB15XPAX MOSFET, CANAL P, -12V, -8.2A, SOT-1220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.015 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaj...
Nexperia
PMPB15XPAX
a partir de € 0,635*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IMBG65R163M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-263-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Número ...
Infineon
IMBG65R163M1HXTMA1
a partir de € 4,109*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,12A; 0,5W; TO92 (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: THT Carcasa: TO92 Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 0,12A Resistencia en estado de transferencia: 23Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...
Diodes
BS107P
a partir de € 0,37*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMPB16R5XNEX MOSFET, 30V, 7A, 150°C, 1.7W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0165 ohm Gama de Producto Trench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines ...
Nexperia
PMPB16R5XNEX
a partir de € 0,484*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IAUT240N08S5N019ATMA1, VDSS 80 V, ID 240 A, HSOF-8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 240 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...
Infineon
IAUT240N08S5N019ATMA1
a partir de € 2,367*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2,5kV; 1,5A; Idm: 6A; 250W; TO268HV (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268HV Tiempo de disponibilidad: 2,5µs Tensión drenaje-fuente: 2,5kV Corriente del drenaje: 1,5A Resistencia en estado de transferencia: 40Ω Tipo de transist...
IXYS
IXTT1N250HV
a partir de € 33,62*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   811   812   813   814   815   816   817   818   819   820   821   ..   1679   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.