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  MOSFET  (25.087 ofertas entre 5.755.450 artículos)

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ROHM R6004PND3FRATL MOSFET AEC-Q101 CANAL N 600V 4A TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.4 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corr...
ROHM Semiconductor
R6004PND3FRATL
a partir de € 1,27*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPP013N04NF2SAKMA1, VDSS 40 V, ID 197 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 197 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de C...
Infineon
SP005633186
€ 0,877*
por unidad
 
 unidades
ROHM QS8J4FRATR MOSFET, AUTO, DOBLE CANAL P, -30V, TSMT (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 4 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Dr...
ROHM Semiconductor
QS8J4FRATR
a partir de € 0,695*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1,14A; Idm: 7,2A; 40W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 400V Corriente del drenaje: 1,14A Resistencia en estado de transferencia: 5,8Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
onsemi
FQP2N40-F080
a partir de € 0,60*
por unidad
 
 unidad
ROHM R6006JNXC7G MOSFET, CANAL N, 6A, 600V, TO-220FM (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.72 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
ROHM Semiconductor
R6006JNXC7G
a partir de € 0,986*
por unidad
 
 unidad
Infineon
IPL60R365P7AUMA1
a partir de € 0,653*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7,7A; Idm: 40A; 1,1W; SO8 (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 7,7A Resistencia en estado de transferencia: 31mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
Diodes
DMN3025LSS-13
a partir de € 0,11*
por unidad
 
 unidades
ROHM QS8K13TCR MOSFET, DOBLE CANAL N, 30V, 6A, TSMT (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 6 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Dr...
ROHM Semiconductor
QS8K13TCR
a partir de € 0,27*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPLK60R600PFD7ATMA1, VDSS 650 V, ID 14 A, PG-TDSON-8 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 14 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PG-TDSON-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPLK60R600PFD7ATMA1
a partir de € 0,85*
por unidad
 
 unidades
ROHM R6007RND3TL1 MOSFET, N-CH, 600V, 7A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.73 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Enc...
ROHM Semiconductor
R6007RND3TL1
a partir de € 0,616*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPP016N08NF2SAKMA1, VDSS 80 V, ID 35 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 35 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = IPP016N08NF2S Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Tensión d...
Infineon
IPP016N08NF2SAKMA1
€ 1,35*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 1A; 195W; TO247HV; 1,8us (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247HV Tiempo de disponibilidad: 1,8µs Tensión drenaje-fuente: 3kV Corriente del drenaje: 1A Resistencia en estado de transferencia: 50Ω Tipo de transistor: ...
IXYS
IXTH1N300P3HV
a partir de € 23,86*
por unidad
 
 unidad
ROHM QS8M51FRATR MOSFET, AEC-Q101, N Y P, 100V, 2A, TSMT (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 100 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 2 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión D...
ROHM Semiconductor
QS8M51FRATR
a partir de € 0,272*
por unidad
 
 unidad
Infineon
IPL60R1K5C6SATMA1
a partir de € 0,329*
por unidad
 
 unidad
ROHM R6012FNX MOSFET, CANAL N, 600V, 12A, TO-220FM-3 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.39 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
ROHM Semiconductor
R6012FNX
a partir de € 2,62*
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