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  MOSFET  (25.383 ofertas entre 5.869.078 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TSDSON-8 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 40A Resistencia en estado de transferencia: 5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET P...
Infineon
BSZ050N03MSGATMA1
a partir de € 0,282*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTHL125N65S3H, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-247 de 3 pines (2 ofertas) 
El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepc...
onsemi
NTHL125N65S3H
a partir de € 3,48*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPL60R185CFD7AUMA1, VDSS 600 V, ID 14 A, ThinPAK 8 x 8 de 5 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 14 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = CoolMOS™ CFD7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxi...
Infineon
IPL60R185CFD7AUMA1
a partir de € 2,077*
por unidad
 
 unidades
ONSEMI NTLJS4114NT1G MOSFET, N CH, 30V, 7.8A, WDFN-6 (1 oferta) 
Encapsulado del Transistor WDFN Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 3.3 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 550 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) N...
onsemi
NTLJS4114NT1G
a partir de € 846,42*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 78W; SOP8A (1 oferta) 
Fabricante: TOSHIBA Montaje: SMD Carcasa: SOP8A Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 1,4mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 78W...
Toshiba
TPHR9003NL
a partir de € 1,73*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI NTJD4105CT1G MOSFET, N & P CH, 20V, 630MA, SOT-363-6 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 630 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión...
onsemi
NTJD4105CT1G
a partir de € 0,0909*
por unidad
 
 unidades
Infineon
BSC120N03MSGATMA1
a partir de € 0,216*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI NTLUS030N03CTAG MOSFET, CANAL N, 30V, 6.9A, 150°C, 1.49W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.014 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje...
onsemi
NTLUS030N03CTAG
a partir de € 0,80*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPG20N10S4L22AATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, PG-TDSON-8-10 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-TDSON-8-10 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPG20N10S4L22AATMA1
a partir de € 0,971*
por unidad
 
 unidades
ONSEMI NTJD5121NT1G MOSFET, DUAL N CH, 60V, 304MA, SOT-363-6 (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 304 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión...
onsemi
NTJD5121NT1G
a partir de € 0,0408*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPL60R1K5C6SATMA1, VDSS 600 V, ID 3 A, ThinPAK 5 x 6 de 5 pines (1 oferta) 
El Infineon new CoolMOS™ ThinPAK 5x6 es un encapsulado SMD sin cable especialmente diseñado para MOSFET de alta tensión. Este nuevo encapsulado tiene un tamaño muy pequeño de 5x6mm 2 y un perfil mu...
Infineon
IPL60R1K5C6SATMA1
a partir de € 0,354*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63,5A; 19,2W; DFN5x6 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: DFN5x6 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 63,5A Resistencia en estado de transferencia: 3,2mΩ Tipo de transistor: N-MOS...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6572
a partir de € 0,31*
por unidad
 
 unidad
Infineon
IPG16N10S461AATMA1
€ 2.265,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63A; 100W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 63A Resistencia en estado de transferencia: 4mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET P...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD4132
a partir de € 0,47*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI NTJS4151PT1G MOSFET, CANAL P, -20V, -3.3A, SOT-363-6 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.047 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaj...
onsemi
NTJS4151PT1G
a partir de € 0,47*
por 5 unidades
 
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