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  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.803.119 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263; 45ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 45ns Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 220A Resistencia en estado de transferencia: 3,5mΩ Tipo de transistor:...
IXYS
IXTA220N04T2
a partir de € 2,01*
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 unidad
ROHM RQ6L020SPTCR MOSFET, CANAL P, 60V, 2A, SMD (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.15 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje ...
ROHM Semiconductor
RQ6L020SPTCR
a partir de € 0,31*
por unidad
 
 unidad
ROHM RQ3E120BNTB MOSFET, CAN N, 30V, 12A, HSMT-8 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0066 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor ...
ROHM Semiconductor
RQ3E120BNTB
a partir de € 0,22*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPSA70R950CEAKMA1, VDSS 700 V, ID 8,7 A, IPAK (TO-251) de 3 pines (1 oferta) 
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. CoolMOS CE es una plata...
Infineon
IPSA70R950CEAKMA1
a partir de € 0,344*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263-7; 45ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263-7 Tiempo de disponibilidad: 45ns Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 220A Resistencia en estado de transferencia: 3,5mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXTA220N04T2-7
a partir de € 3,91*
por unidad
 
 unidad
ROHM RQ7E055ATTCR MOSFET, CANAL P, -30V, -5.5A, TSMT-8 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0193 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
ROHM Semiconductor
RQ7E055ATTCR
a partir de € 0,345*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPP70N12S311AKSA1, VDSS 120 V, ID 70 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET que incluye las familias CoolMOS, OptiMOS y IRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y ...
Infineon
IPP70N12S311AKSA1
a partir de € 1,768*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 18,5W; DFN3.3x3.3 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: DFN3.3x3.3 Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 50A Resistencia en estado de transferencia: 2,3mΩ Tipo de transistor: N-M...
Alpha & Omega Semiconductor
AON7140
a partir de € 0,38*
por unidad
 
 unidad
ROHM RQ3E150GNTB MOSFET, CANAL N, 30V, 39A, HSMT-8 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0047 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
ROHM Semiconductor
RQ3E150GNTB
a partir de € 0,242*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPP80R360P7 transistore 900 V (2 ofertas)
Infineon
IPP80R360P7XKSA1
a partir de € 0,872*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 230A; 340W; TO220AB; 32ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 32ns Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 230A Resistencia en estado de transferencia: 2,9mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXTP230N04T4
a partir de € 1,85*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RQ7G080BGTCR, VDSS 40 V, ID 8 A, TSMT-8 (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = TSMT-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
ROHM Semiconductor
RQ7G080BGTCR
a partir de € 0,325*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4A; 1,6W; SOT89-3 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaje: SMD Carcasa: SOT89-3 Tensión drenaje-fuente: 40V Resistencia en estado de transferencia: 1Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1,6W Polarización:...
Microchip Technology
TN2504N8-G
a partir de € 0,63*
por unidad
 
 unidad
ROHM RQ3G110ATTB MOSFET, CANAL P, 40V, 35A, HSMT (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0098 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
ROHM Semiconductor
RQ3G110ATTB
a partir de € 0,579*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPT010N08NM5ATMA1, VDSS 80 V, ID 43 A, HSOF-8 de 8 pines (1 oferta) 
El Infineon IPT010N08NM5 es el MOSFET de potencia OptiMOS 5 de canal N sencillo de 80V 1.05mΩ 425A V en un encapsulado DE PEAJE. La tecnología de silicio OptiMOS 5 es una nueva generación de MOSFET...
Infineon
IPT010N08NM5ATMA1
a partir de € 4,584*
por unidad
 
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