MOSFET | MERCATEO (Página 991/1.692)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 500A; 1000W; TO247-3; 84ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 84ns Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 500A Resistencia en estado de transferencia: 1,6mΩ Tipo de transisto...

IXYS

IXTH500N04T2

a partir de € 9,02*
por unidad

MOSFET ROHM R6507KND3TL1, VDSS 650 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Res...

ROHM Semiconductor

R6507KND3TL1

a partir de € 0,685*
por unidad

MOSFET Infineon IPTG044N15NM5ATMA1, VDSS 150 V, ID 174 A, D²PAK de 7 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 174 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = D²PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7

Infineon

SP005676948

a partir de € 4,931*
por unidad

MOSFET Vishay IRF820APBF, VDSS 500 V, ID 2,5 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF820APBF

a partir de € 0,48*
por unidad

ROHM R6012JNJGTL MOSFET, CANAL N, 12A, 600V, TO-263S (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.3 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje d...

ROHM Semiconductor

R6012JNJGTL

a partir de € 1,41*
por unidad

MOSFET Infineon IPTC014N10NM5ATMA1, VDSS 100 V, ID 365 A, PG-HDSOP-16 de 16 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 365 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-HDSOP-16 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 16 Nú...

Infineon

SP005731291

€ 6.449,40*
por 1.800 unidades

ROHM R6507KNXC7G MOSFET, CANAL N, 650V, 7A, TO-220FM (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.605 ohm Gama de Producto R6xxxKNx Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines ...

ROHM Semiconductor

R6507KNXC7G

a partir de € 0,874*
por unidad

Infineon IPSA70R950CE transistore 600 V (1 oferta)

Infineon

IPSA70R950CEAKMA1

a partir de € 21,075*
por 75 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1,6A; 100W; TO263; 400ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 400ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 1,6A Resistencia en estado de transferencia: 2,3Ω Tipo de transistor...

IXYS

IXTA1R6N50D2

a partir de € 1,54*
por unidad

ROHM R6014YNX3C16 MOSFET, CANAL N, 600V, 14A, TO-220AB (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 12 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.215 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encap...

ROHM Semiconductor

R6014YNX3C16

a partir de € 1,60*
por unidad

MOSFET Infineon IPTC044N15NM5ATMA1, VDSS 150 V, ID 174 A, D²PAK de 16 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 174 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = D²PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 16

Infineon

SP005631629

a partir de € 5,119*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 500A; 1000W; TO268; 84ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tiempo de disponibilidad: 84ns Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 500A Resistencia en estado de transferencia: 1,6mΩ Tipo de transistor:...

IXYS

IXTT500N04T2

a partir de € 9,21*
por unidad

ROHM R6524ENZ4C13 MOSFET, CANAL N, 650V, 24A, TO-247G (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.16 ohm Gama de Producto R6xxxENx Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines M...

ROHM Semiconductor

R6524ENZ4C13

a partir de € 3,21*
por unidad

MOSFET Infineon IPTG063N15NM5ATMA1, VDSS 150 V, ID 143 A, PG-HSOG-8 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 143 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = PG-HSOG-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...

Infineon

SP005676956

a partir de € 3,881*
por unidad

ROHM R6015ENX MOSFET, CANAL N, 600V, 15A, TO-220FM (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.26 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...

ROHM Semiconductor

R6015ENX

a partir de € 1,58*
por unidad

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