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  Transistor de potencia  (20.711 ofertas entre 5.819.943 artículos)

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DIODES INC. DMTH4008LFDFWQ-13 MOSFET, CANAL N, 40V, 11.6A, U-DFN2020 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0091 ohm Gama de Producto - Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Diodes
DMTH4008LFDFWQ-13
a partir de € 0,248*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FF900R17ME7B11BPSA1, 900 MHZ, 1700 V 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 900 MHZ Tensión Máxima Colector-Emisor = 1700 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW
Infineon
FF900R17ME7B11BPSA1
a partir de € 291,833*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMTH43M8LFGQ-13 MOSFET, CANAL N, 40V, 100A POWERDI 3333 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0023 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Diodes
DMTH43M8LFGQ-13
a partir de € 0,505*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FP25R12W1T7B11BPSA1, N-Canal, 25 A, 1.200 V, EASY1B 7 (3 ofertas) 
El rectificador de entrada trifásica Infineon EasyPIM alimenta módulos integrados módulo IGBT con tecnología TRENCHSTOP IGBT7. Tiene una tensión de emisor de colector de 1.200 V y una corriente dir...
Infineon
FP25R12W1T7B11BPSA1
a partir de € 28,904*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMTH4014LFVWQ-13 MOSFET CANAL N, 40V, 11.5A, POWERDI 3333 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0098 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Diodes
DMTH4014LFVWQ-13
a partir de € 0,219*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FF1800R12IE5PBPSA1, N-Canal, 1,8 kA, 1.200 V, PRIME3+, 10-Pines 2 Doble (1 oferta) 
El módulo IGBT doble Infineon PrimePack con tecnología de interconexión TRENCHSTOP IGBT5 y .XT. Tiene una tensión de emisor de colector de 1.800 V. Los módulos IGBT de parada de campo y TRENCHSTOP ...
Infineon
FF1800R12IE5PBPSA1
€ 853,539*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMTH47M2LPSWQ-13 MOSFET, CANAL N, 40V, POWERDI 5060 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0057 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Diodes
DMTH47M2LPSWQ-13
a partir de € 0,384*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FF750R12ME7B11BPSA1, 750 A, 1.200 V, AG-ECONOD 2 Serie (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 750 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = AG-ECONOD Tipo...
Infineon
FF750R12ME7B11BPSA1
a partir de € 258,905*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMTH4014SPSWQ-13 MOSFET, CANAL N, 40V, POWERDI 5060 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0114 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Diodes
DMTH4014SPSWQ-13
a partir de € 0,239*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FP100R12KT4B11BOSA1, 100 A, 1200 V 7 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 515 W
Infineon
FP100R12KT4B11BOSA1
a partir de € 173,963*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMTH6002LPSWQ-13 MOSFET, CANAL N, 60V, POWERDI 5060 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0015 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Diodes
DMTH6002LPSWQ-13
a partir de € 1,17*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FP25R12W2T4BOMA1, 39 A, 1200 V 7 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 39 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 175 W
Infineon
FP25R12W2T4BOMA1
a partir de € 38,43*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMTH43M8LK3Q-13 MOSFET, CANAL N, 40V, 100A, TO-252 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0029 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Diodes
DMTH43M8LK3Q-13
a partir de € 0,432*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FF225R17ME7B11BPSA1, 225 A, 1700 V 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 225 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1700 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW
Infineon
FF225R17ME7B11BPSA1
a partir de € 124,721*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMTH6004SK3-13 MOSFET, CANAL N, 60V, 100A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.003 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Co...
Diodes
DMTH6004SK3-13
a partir de € 0,627*
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